專利名稱：半導(dǎo)體裝置、顯示裝置以及電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用薄膜晶體管的半導(dǎo)體裝置以及包括該半導(dǎo)體裝置的顯示裝置和電子裝置。
背景技術(shù)：
使用廉價(jià)的玻璃襯底形成的顯示裝置呈現(xiàn)如下傾向隨著其分辨率升高，襯底中的用于安裝的像素部周邊的區(qū)域(邊框區(qū)域)所占有的比例增大，從而對小型化形成妨礙。因此，普遍認(rèn)為將使用單晶的半導(dǎo)體襯底所形成的驅(qū)動(dòng)電路安裝在玻璃襯底的方式具有限 度，將驅(qū)動(dòng)電路和像素部一體形成在相同的玻璃襯底上的技術(shù)即所謂系統(tǒng)型面板(systemon panel)化正在受到重視。通過實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)型面板來減少用來連接驅(qū)動(dòng)電路和像素部的引腳數(shù)目，可以避免如下問題當(dāng)將半導(dǎo)體襯底的驅(qū)動(dòng)電路安裝在玻璃襯底之際發(fā)生的因驅(qū)動(dòng)電路和像素部的連接缺陷而引起的成品率的降低；以及使用引腳的連接部分的機(jī)械強(qiáng)度的下降等。另外，通過實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)型面板，不僅進(jìn)一步使顯示裝置小型化，還可以因裝配工序及檢查工序的減少而實(shí)現(xiàn)降低成本。作為上述顯示裝置所具有的驅(qū)動(dòng)電路的典型例子，有掃描線驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。通過使用掃描線驅(qū)動(dòng)電路，針對每一行、根據(jù)情況針對多個(gè)行選擇多個(gè)像素。而且通過信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路控制對該被選擇的行所具有的像素的視頻信號(hào)的輸入。在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路和掃描線驅(qū)動(dòng)電路之中，與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路相比，掃描線驅(qū)動(dòng)電路可以將驅(qū)動(dòng)頻率抑制為低，所以比較容易在玻璃襯底上形成。在下述非專利文獻(xiàn)I(YongSoon Lee 以及其他七名，SID06DIGEST, 16. 2 (p. 1083-p. 1086) (2006))中記載有如下技術(shù)利用使用了非晶半導(dǎo)體的晶體管將掃描線驅(qū)動(dòng)電路和像素部形成在玻璃襯底上。另一方面，使用了非晶半導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體的薄膜晶體管(TFT)其電流供應(yīng)能力低于單晶的晶體管。因此，有時(shí)采用介電常數(shù)高于氧化硅高的氮化硅膜、氮氧化硅膜等的絕緣膜作為該TFT的柵極絕緣膜，以提高用于驅(qū)動(dòng)電路的TFT的導(dǎo)通電流。然而，在使用含氮的柵極絕緣膜的薄膜晶體管中，施加到柵極的電壓的絕對值越大，或處于導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間(驅(qū)動(dòng)時(shí)間)越長，其閾值電壓越容易移動(dòng)得大。這是因?yàn)楫?dāng)對柵極施加電壓時(shí)，電荷被柵極絕緣膜捕捉的緣故。尤其是，當(dāng)采用使用非晶半導(dǎo)體的薄膜晶體管時(shí)，由于將含氮的絕緣膜用作柵極絕緣膜的情況多，所以電荷的捕捉所引起的閾值電壓的移動(dòng)成為很大的問題。圖18A示出用于掃描線驅(qū)動(dòng)電路的輸出電路的一般結(jié)構(gòu)，該輸出電路用來控制向掃描線的電壓輸入。圖18A所示的輸出電路包括串聯(lián)連接的n型晶體管3001及n型晶體管3002。并且，對晶體管3001的源極及漏極的任何一方供應(yīng)時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓，而對晶體管3002的源極供應(yīng)電源電壓VSS。對晶體管3001的柵極供應(yīng)電壓Vinl，而對晶體管3002的柵極供應(yīng)電壓Vin2。此外，晶體管3001的源極及漏極的另一方和晶體管3002的漏極連接的節(jié)點(diǎn)的電壓Vout被供應(yīng)到掃描線。圖18B示出在圖18A所示的輸出電路中輸入電壓和輸出電壓的時(shí)序圖。如圖18B所示，僅在時(shí)鐘信號(hào)GCLK所具有的高電平脈沖之一個(gè)出現(xiàn)的期間以及其前后，電壓Vinl處于高電平。當(dāng)Vinl處于高電平時(shí)，晶體管3001導(dǎo)通，且另外當(dāng)Vinl處于低電平時(shí)，晶體管3001截止。另一方面，僅在時(shí)鐘信號(hào)GCLK所具有的高電平脈沖之一出現(xiàn)的期間以及其前后，電壓Vin2處于低電平。當(dāng)Vin2處于低電平時(shí)，晶體管3002截止，且另外當(dāng)Vin2處于高電平時(shí)，晶體管3002導(dǎo)通。在晶體管3001導(dǎo)通，而晶體管3002截止的期間中，對時(shí)鐘信號(hào)GCLK所具有的高電平的脈沖進(jìn)行取樣，然后將它輸出為電壓Vout。然后，使用被取樣的脈沖選擇掃描線。 在具有上述結(jié)構(gòu)的輸出電路中，在掃描線沒有被選擇的期間中晶體管3002維持導(dǎo)通狀態(tài)。然而，掃描線沒有被選擇的期間比掃描線被選擇的期間長得多。由此，晶體管3002的驅(qū)動(dòng)時(shí)間比晶體管3001長，并且其閾值電壓因柵極絕緣膜的電荷捕捉而容易移動(dòng)。而且，由于當(dāng)閾值電壓大幅度地移動(dòng)時(shí)，晶體管3002不正常地工作，所以柵極絕緣膜的電荷捕捉成為縮短掃描線驅(qū)動(dòng)電路的壽命的一個(gè)原因。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種顯示裝置，其中即使TFT的閾值電壓移動(dòng)也可以確保驅(qū)動(dòng)電路的高可靠性。本申請人注意到如下現(xiàn)象當(dāng)對晶體管的柵極連續(xù)施加正電壓時(shí)，該晶體管的閾值電壓向正方向移動(dòng)，與此相反，當(dāng)繼續(xù)施加負(fù)電壓時(shí)，該晶體管的閾值電壓向負(fù)方向移動(dòng)，并且，提案下述顯示裝置即使輸出電路的晶體管的閾值電壓移動(dòng)，通過將具有相反極性的電壓施加到柵極，將閾值電壓向相反的方向移動(dòng)來進(jìn)行校正。本發(fā)明的顯示裝置包括電源控制電路和閾值控制電路，該電源控制電路可以以該晶體管的源極電位為標(biāo)準(zhǔn)，對輸出電路所具有的晶體管的柵極供應(yīng)正向偏壓或反向偏壓，而該閾值控制電路以源極的電位為基準(zhǔn)，將電源控制電路控制為對該晶體管的柵極供應(yīng)反向偏壓，以校正該晶體管的閾值電壓。閾值控制電路也可以根據(jù)晶體管的驅(qū)動(dòng)時(shí)間控制對該晶體管的柵極施加反向偏壓的時(shí)間。具體來說，閾值控制電路根據(jù)對晶體管的柵極施加正向偏壓的時(shí)間(驅(qū)動(dòng)時(shí)間)t預(yù)測閾值電壓的變化量AVth。而且，根據(jù)該變化量AVth，算出將反向偏壓施加到柵極的時(shí)間t’，該時(shí)間t’是為將閾值電壓向反向變化AVth而必需的。然后，將電源控制電路控制為以算出了的時(shí)間t’對晶體管的柵極施加反向偏壓。而且，通過將相對于驅(qū)動(dòng)時(shí)間t的變化量AVth的推移數(shù)據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，且參照該數(shù)據(jù)，來可以預(yù)測閾值控制電路中的閾值電壓的變化量AVth。與此相同，通過將相對于施加反向偏壓的時(shí)間的閾值電壓的變化量AVth的推移數(shù)據(jù)預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，且參照該數(shù)據(jù)，來可以算出施加反向偏壓的時(shí)間t’?；蛘?，也可以根據(jù)上述兩個(gè)數(shù)據(jù)來決定相對于驅(qū)動(dòng)時(shí)間t的施加反向的偏壓的時(shí)間t’的數(shù)據(jù)，且預(yù)先將它存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。
此外，也可以將測量了的驅(qū)動(dòng)時(shí)間存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中，以便即使關(guān)掉顯示裝置而斷絕電力的供應(yīng)，再度開啟之后就能夠繼續(xù)地測量驅(qū)動(dòng)時(shí)間。此外，也可以在顯示裝置的像素部中設(shè)置多個(gè)具備有輸入電路的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，具體來說，在用來驅(qū)動(dòng)像素的掃描線的兩側(cè)設(shè)置該掃描線驅(qū)動(dòng)電路。而且，通過使一個(gè)輸出電路進(jìn)行在像素部中顯示圖像的工作，且使另一個(gè)輸出電路進(jìn)行工作，以受到反向偏壓，來可以校正晶體管的閾值電壓，而不中斷像素部中的圖像顯示。此外，除了在像素部中顯示圖像的期間之外，任何時(shí)候都可以使用反向偏壓校正閾值電壓。例如，既可以在顯示裝置供應(yīng)電源之后到實(shí)際顯示圖像的期間中進(jìn)行校正，又可以在顯示圖像的過程中，通過適當(dāng)?shù)赝Ｖ箞D像的顯示進(jìn)行校正。在本發(fā)明中，即使用于驅(qū)動(dòng)電路的晶體管的閾值電壓移動(dòng)，通過對該晶體管的柵極施加反向偏壓，可以使移動(dòng)了的閾值電壓回到原來的狀態(tài)。因此，可以提高驅(qū)動(dòng)電路和顯、示裝置的可靠性。尤其是，在使用非晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管中多次出現(xiàn)如下情況，即將介電常數(shù)比氧化硅高的氮化硅或氮氧化硅用作柵極絕緣膜，以確保導(dǎo)通電流。當(dāng)使用介電常數(shù)高的氮化硅或氮氧化硅時(shí)，電荷容易被捕捉，該現(xiàn)象導(dǎo)致閾值電壓的移動(dòng)。但是根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以校正薄膜晶體管的閾值電壓，從而可以提高顯示裝置的可靠性。此外，在本發(fā)明中，通過在顯示裝置的像素部中設(shè)置多個(gè)具備有輸出電路的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，具體來說，在驅(qū)動(dòng)像素的掃描線的兩側(cè)設(shè)置該掃描線驅(qū)動(dòng)電路，可以校正晶體管的閾值電壓，而不中斷像素部中的圖像顯示，從而可以提高顯示裝置的可靠性。


圖IA和圖IB是示出本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖2是示出閾值控制電路的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖3A是示出相對于施加正向偏壓的時(shí)間的閾值電壓的變化的圖表，圖3B是示出不出相對于施加反向偏壓的時(shí)間的閾值電壓的變化的圖表；圖4A和圖4B是示出掃描線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的圖；圖5是示出脈沖輸出電路的結(jié)構(gòu)的圖；圖6是脈沖輸出電路的時(shí)序圖；圖7是示出脈沖輸出電路的結(jié)構(gòu)的圖；圖8是示出本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖9A至圖9C是示出本發(fā)明的顯示裝置的外觀的圖；圖10是示出信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖IlA和圖IlB是示出像素部的結(jié)構(gòu)的圖；圖12是示出像素部的結(jié)構(gòu)的圖；圖13A至圖13C是示出本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖；圖14A至圖14C是示出本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖；圖15A和圖15B是示出本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖；圖16A和圖16B是本發(fā)明的顯示裝置的俯視圖及剖面圖；圖17A至圖17C是使用本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備的圖；圖18A和圖18B是輸出電路的電路圖及輸出電路的時(shí)序圖19是示出本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的方框圖；圖20A至圖20D是說明本發(fā)明的顯示裝置的工作的圖；圖2IA至圖21C是示出本發(fā)明的顯示裝置的外觀的圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式給予說明。但是，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是本發(fā)明可以以多個(gè)不同形式來實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。實(shí)施方式I
參照圖IA和圖IB說明本發(fā)明的顯示裝置的結(jié)構(gòu)。圖IA是本發(fā)明的顯示裝置的方框圖。本發(fā)明的顯示裝置包括閾值控制電路101、電源控制電路102、輸出電路103。在圖IA所示的本發(fā)明的顯示裝置中，還包括具有輸出電路103的移位寄存器104、具有移位寄存器104的掃描線驅(qū)動(dòng)電路105、像素部106。除了上述結(jié)構(gòu)之外，本發(fā)明的顯示裝置還可以包括信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。像素部106設(shè)有多個(gè)像素，并且由掃描線驅(qū)動(dòng)電路105針對每個(gè)行選擇該像素。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路控制向由掃描線驅(qū)動(dòng)電路105所選擇的行輸入像素的視頻信號(hào)。移位寄存器104使用被輸入的時(shí)鐘信號(hào)GCLK、起始脈沖信號(hào)GSP選擇行。具體來說，通過按照起始脈沖信號(hào)GSP以及時(shí)鐘信號(hào)GCLK控制輸出電路103的開關(guān)，對時(shí)鐘信號(hào)GCLK的脈沖進(jìn)行取樣且將它供應(yīng)到掃描線。當(dāng)在像素中將n型的晶體管用作開關(guān)元件之際，在脈沖所具有的高電平的電壓VDD供應(yīng)到掃描線時(shí)，該晶體管導(dǎo)通，且具有該掃描線的行的像素處于選擇狀態(tài)。此外，在低電平的電壓VSS供應(yīng)到掃描線時(shí)，該晶體管截止，且具有該掃描線的行的像素處于非選擇狀態(tài)。與此相反，當(dāng)在像素中將p型晶體管用作開關(guān)元件之際，在脈沖所具有的低電平的電壓VSS供應(yīng)到掃描線時(shí)，該晶體管導(dǎo)通，且具有該掃描線的行的像素處于選擇狀態(tài)。此夕卜，在高電平的電壓VDD供應(yīng)到掃描線時(shí)，該晶體管截止，且具有該掃描線的行的像素處于非選擇狀態(tài)。接著，以在像素中將n型晶體管用作開關(guān)元件的情況為例子，且使用圖IB所示的方框圖說明閾值控制電路101、電源控制電路102、輸出電路103、移位寄存器104的結(jié)構(gòu)及
其工作。輸出電路103至少包括兩個(gè)開關(guān)元件。圖IB具體示出的輸出電路103將n型晶體管107和n型晶體管108用作開關(guān)元件。另外，雖然圖IB例示晶體管107和晶體管108都是n型的情況，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。晶體管107和晶體管108也都可以是p型。晶體管107和晶體管108串聯(lián)連接。在將圖像顯示在像素部106中的期間中，對晶體管107的源極及漏極的任何一個(gè)供應(yīng)時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓，而另一個(gè)連接到掃描線。此外，對晶體管108的源極供應(yīng)電壓VSS，而漏極連接到掃描線。因此，由晶體管107進(jìn)行時(shí)鐘信號(hào)GCLK的取樣，并且由晶體管108控制對掃描線供應(yīng)的電壓VSS。電源控制電路102可以將高電平的電壓VCC及低電平的電壓VEE的任何一個(gè)供應(yīng)到移位寄存器104。閾值控制電路101選擇電壓VCC及電壓VEE的任何一個(gè)，且控制電源控制電路102，以對移位寄存器104供應(yīng)選擇了的電壓。在將圖像顯示在像素部106中的期間中，閾值控制電路101控制電源控制電路102，以對移位寄存器104供應(yīng)電壓VCC。此外，電壓VCC低于電壓VDD。通過將正向偏壓VCC供應(yīng)到柵極，晶體管108導(dǎo)通。在晶體管108導(dǎo)通時(shí)，對掃描線供應(yīng)電壓VSS，作為像素的開關(guān)元件而發(fā)揮功能的晶體管截止，并且具有該掃描線的行的像素成為非選擇狀態(tài)。另一方面，在將圖像顯示在像素部106中的期間中，晶體管107進(jìn)行如下開關(guān)工作，即在將電壓VDD供應(yīng)到柵極時(shí)導(dǎo)通，而在將電壓VSS供應(yīng)到柵極時(shí)截止。而且，在晶體管107導(dǎo)通時(shí)使晶體管108截止，而在晶體管107截止時(shí)使晶體管108導(dǎo)通。此外，當(dāng)對晶體管108的柵極供應(yīng)高電平的電壓VCC的期間變長時(shí)，晶體管108的閾值電壓向正方向移動(dòng)。因此，在本發(fā)明的顯示裝置中，設(shè)置校正晶體管108的閾值電壓的期間。
在校正晶體管108的閾值電壓的期間中，閾值控制電路101控制電源控制電路102，以將反向偏壓VEE供應(yīng)到移位寄存器104。電壓VEE低于電壓VSS。而且，通過將反向偏壓VEE供應(yīng)到柵極，晶體管108的閾值電壓向負(fù)方向移動(dòng)。根據(jù)在顯示圖像的期間中的正方向的閾值電壓的變化量，可以決定將閾值電壓向負(fù)方向變化到哪種程度。可以根據(jù)對晶體管108的柵極供應(yīng)正向偏壓VCC的時(shí)間(驅(qū)動(dòng)時(shí)間)來預(yù)測在正方向中的閾值電壓的變化量。此外，可以根據(jù)對晶體管108的柵極供應(yīng)反向偏壓VEE的時(shí)間來預(yù)測在負(fù)方向的閾值電壓的變化量。因此，對晶體管108的柵極供應(yīng)反向偏壓VEE的時(shí)間可以取決于對晶體管108的柵極供應(yīng)正向偏壓VCC的時(shí)間。除了將圖像顯示在像素部106中的期間以外，任何時(shí)候都可以進(jìn)行閾值電壓的校正。例如，既可以在對顯示裝置供應(yīng)電源之后到實(shí)際顯示圖像的期間進(jìn)行，又可以在顯示圖像時(shí)適當(dāng)?shù)貢簳r(shí)中斷顯示而進(jìn)行上述校正。因?yàn)閽呙杈€不被選擇的期間比被選擇的期間長得多，所以晶體管108的驅(qū)動(dòng)時(shí)間比晶體管107的驅(qū)動(dòng)時(shí)間長得多，且其閾值電壓的變化量增大。但是，在本發(fā)明中，通過對晶體管108的柵極供應(yīng)反向偏壓，可以校正其閾值電壓。由此，可以提高掃描線驅(qū)動(dòng)電路105和顯示裝置的可靠性。特別是，在使用非晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管中往往出現(xiàn)如下情況，即將介電常數(shù)比氧化硅高的氮化硅或氮氧化硅用作柵極絕緣膜，以確保導(dǎo)通電流。當(dāng)使用介電常數(shù)高的氮化硅或氮氧化硅時(shí)，電荷容易被捕捉，該情況導(dǎo)致閾值電壓的移動(dòng)。但是根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以校正薄膜晶體管108的閾值電壓，從而可以提高顯示裝置的可靠性。在本實(shí)施方式中，例示將n型晶體管用作像素及輸出電路103的開關(guān)元件的情況，并說明校正晶體管108的閾值電壓的結(jié)構(gòu)。與此相反，就將p型晶體管用作像素及輸出電路103的開關(guān)元件的情況進(jìn)行考察。在此情況下，對晶體管107的源極及漏極的任何一個(gè)供應(yīng)時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓，而另一個(gè)連接到掃描線。此外，對晶體管108的源極供應(yīng)電壓VDD，而漏極連接到掃描線。因此，晶體管108控制電壓VDD的對掃描線的供應(yīng)，而晶體管107進(jìn)行時(shí)鐘信號(hào)GCLK的取樣。而且，為了使像素的晶體管截止需要在輸出電路103中使晶體管108導(dǎo)通且將高電平的電壓VDD供應(yīng)到掃描線。因此，由于晶體管108的驅(qū)動(dòng)時(shí)間比晶體管107的驅(qū)動(dòng)時(shí)間長得多，所以對晶體管108的柵極供應(yīng)高電平的反向偏壓，以便校正晶體管108的閾值電壓。此外，雖然本實(shí)施方式說明晶體管107及晶體管108具有相同的極性的輸出電路103的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。晶體管107及晶體管108也可以具有不同的極性。在此情況下，因?yàn)閮?yōu)選對P型晶體管的源極施加電壓VDD，且對n型晶體管的源極供應(yīng)電壓VSS，所以晶體管107優(yōu)選為p型，而晶體管108優(yōu)選為n型?！ご送?，本實(shí)施方式示出了如下情況，即晶體管107、晶體管108是分別具有一個(gè)柵極的單柵結(jié)構(gòu)。但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以采用具有彼此電連接的多個(gè)柵極的多柵結(jié)構(gòu)的晶體管。實(shí)施方式2·在本實(shí)施方式中，就本發(fā)明的顯示裝置所具有的閾值控制電路的更具體的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子進(jìn)行說明。圖2所示的閾值控制電路200包括控制器201、計(jì)算電路202、測量電路203、存儲(chǔ)器204、存儲(chǔ)器205。此外，移位寄存器220所具有的輸出電路221包括串聯(lián)連接的晶體管223和晶體管224。而且，在將圖像顯示在像素部中的期間中，對晶體管223的源極及漏極的任何一個(gè)供應(yīng)時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓，而另一個(gè)連接到掃描線。此外，對晶體管224的源極供應(yīng)電壓VSS，而漏極連接到掃描線。因此，晶體管223進(jìn)行時(shí)鐘信號(hào)GCLK的取樣，而晶體管224控制電壓VSS的對掃描線的供應(yīng)。接著，說明本實(shí)施方式的顯示裝置的工作。首先，在將圖像顯示在像素部中的期間中，控制器201控制電源控制電路210，以對輸出電路221供應(yīng)正向偏壓(在此為電壓VCC)。可以根據(jù)輸入到控制器201的水平同步信號(hào)(Hsync)和垂直同步信號(hào)(Vsync)辨別顯示圖像的期間。當(dāng)對柵極供應(yīng)正向偏壓VCC時(shí)，晶體管224導(dǎo)通，且電壓VSS供應(yīng)到掃描線。而且，隨著時(shí)間經(jīng)過，晶體管224的閾值電壓移動(dòng)到正方向。此外，在顯示圖像的期間中，控制器201控制測量電路203，以測量對晶體管224的柵極施加正向偏壓VCC的時(shí)間t?？梢允褂糜?jì)數(shù)器等的計(jì)數(shù)電路形成測量電路203。并且，測量出的時(shí)間t存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器204中。作為存儲(chǔ)器204，優(yōu)選使用非易失性存儲(chǔ)器。但是，也可以采用易失性存儲(chǔ)器，而只要可以通過不斷地將電源用電壓供應(yīng)到存儲(chǔ)器204中來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。作為存儲(chǔ)器204，例如可以使用SRAM、DRAM、閃存、EEPROM、FeRAM等。通過將正向偏壓被施加的時(shí)間t存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器204中，在關(guān)掉顯示裝置的電源之后再次供應(yīng)電源時(shí)，將供應(yīng)電源之后的時(shí)間加在關(guān)掉電源之前的時(shí)間t上。接著，在校正晶體管224的閾值電壓的期間中，控制器201控制電源控制電路210，以對輸出電路221供應(yīng)反向偏壓(在此為電壓VEE)。當(dāng)將電壓VEE供應(yīng)到柵極時(shí)，晶體管224截止，并且隨著時(shí)間經(jīng)過，其閾值電壓向負(fù)方向移動(dòng)。此外，存儲(chǔ)器205存儲(chǔ)有一種數(shù)據(jù)，該數(shù)據(jù)用來根據(jù)時(shí)間t單值地算出用來校正晶體管224的閾值電壓的時(shí)間t’。在本實(shí)施方式中，以如下情況為例子來進(jìn)行說明存儲(chǔ)有第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)，該第一數(shù)據(jù)表示相對于時(shí)間t的晶體管224的閾值電壓的值或變化量，而該第二數(shù)據(jù)表示相對于時(shí)間t’的晶體管224的閾值電壓的值或變化量。圖3A是示出與將正向偏壓施加到柵極的時(shí)間t對應(yīng)的閾值電壓Vth的值的第一數(shù)據(jù)的一個(gè)例子。在圖3A中，在施加正向偏壓之前，即在時(shí)間0時(shí)的閾值電壓為Vth (O)。此外，在圖3A中，在時(shí)間t=ta時(shí)的閾值電壓為Vth (ta)。
此外，圖3B是示出與將反向偏壓施加到柵極的時(shí)間t’對應(yīng)的閾值電壓Vth的值的第二數(shù)據(jù)的一個(gè)例子。在圖3B中，在時(shí)間tb時(shí)，閾值電壓為Vth (ta)，而在時(shí)間t。時(shí)，閾值電壓為Vth (O)。因此，只要將反向偏壓施加時(shí)間t’Aftb,就使閾值電壓從Vth (、)回到 Vth (O)。控制器201控制計(jì)算電路202，以使該計(jì)算電路202使用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器205的第一數(shù)據(jù)或第二數(shù)據(jù)和在測量電路203中測量的時(shí)間t來算出上述施加反向偏壓的時(shí)間t’。并且，根據(jù)在計(jì)算電路202中算出的時(shí)間t’=te-tb控制電源電路210，以將反向偏壓VEE供應(yīng)到輸出電路221。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選使用非易失性存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)器205。但是，只要能夠通過不斷地將電源用電壓供應(yīng)到存儲(chǔ)器205中來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，就可以采用易失性存儲(chǔ)器。作為存儲(chǔ)器205，例如可以使用SRAM、DRAM、閃存、EEPR0M、FeRAM等。此外，雖然本實(shí)施方式示出將第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在相同的存儲(chǔ)器205中的例子，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以將第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在不同的存儲(chǔ)器中。 此外，雖然本實(shí)施方式示出使用上述第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)進(jìn)行施加反向偏壓的時(shí)間t’的計(jì)算的情況，但是本發(fā)明不局限于此。例如，也可以使用上述第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)來形成能夠根據(jù)驅(qū)動(dòng)時(shí)間t直接算出時(shí)間t’的數(shù)據(jù)，并將它存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器中。此外，雖然在本實(shí)施方式中，在測量電路203中測量將正向偏壓供應(yīng)到晶體管的柵極的時(shí)間t，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。采用如下方法測量，即可能夠間接預(yù)測將正向偏壓供應(yīng)到晶體管的柵極的時(shí)間t，而不直接測量時(shí)間t。例如，在閾值控制電路200中選擇正向偏壓的期間和實(shí)際上將正向偏壓供應(yīng)到晶體管的柵極的時(shí)間t不同。但是，可以根據(jù)在閾值控制電路200中選擇正向偏壓的期間間接地預(yù)測將正向偏壓實(shí)際上供應(yīng)到晶體管的柵極的時(shí)間t。因此，可以通過測量在閾值控制電路200中選擇正向偏壓的期間，算出施加反向偏壓的時(shí)間t’。此外，雖然在本實(shí)施方式中，使用閾值電壓的值或變化量相對于時(shí)間t或時(shí)間t’連續(xù)地變化的數(shù)據(jù)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以使用閾值電壓的值或變化量相對于時(shí)間t或時(shí)間t’斷續(xù)地變化的數(shù)據(jù)。在本發(fā)明中，通過對輸出電路221中的晶體管224的柵極以根據(jù)驅(qū)動(dòng)時(shí)間而決定的時(shí)間施加反向偏壓，校正其閾值電壓。由此，即使上述晶體管224的閾值電壓Vth移動(dòng)，也可以由于在柵極絕緣膜中電荷被捕捉而確保掃描線驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置的高可靠性。特別是，在使用非晶半導(dǎo)體膜的薄膜晶體管中，在很多情況下使用其介電常數(shù)比氧化硅高的氮化硅或氮氧化硅，以確保導(dǎo)通電流。當(dāng)使用介電常數(shù)高的氮化硅或氮氧化硅時(shí)，電荷容易被捕捉，因此導(dǎo)致閾值電壓的移動(dòng)。但是根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，可以校正閾值電壓的移動(dòng)來提高顯示裝置的可靠性。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合實(shí)施。實(shí)施方式3 在本實(shí)施方式中，就本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所具有的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的更詳細(xì)的結(jié)構(gòu)和其工作進(jìn)行說明。圖4A示出本實(shí)施方式的掃描線驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)。圖4A所示的掃描線驅(qū)動(dòng)電路具有多個(gè)脈沖輸出電路900。向脈沖輸出電路900中輸入時(shí)鐘信號(hào)GCLK、周期與該時(shí)鐘信號(hào)GCLK錯(cuò)開一半的時(shí)鐘信號(hào)GCLKb、起始脈沖信號(hào)GSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)GU/D、使該掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)GU/D的電壓反相的掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)GU/Db。多個(gè)脈沖輸出電路900根據(jù)上述信號(hào)的輸入對相對應(yīng)的掃描線Gl至Gy按順序輸出脈沖。圖5示出脈沖輸出電路900的電路圖的一個(gè)具體例子。此外，圖4B示出圖4A所示的脈沖輸出電路900的端子，該端子附記有I至5的號(hào)碼，以明確圖5所示的脈沖輸出電路中的信號(hào)的輸出和輸入。圖4B所示的脈沖輸出電路900的I至5的端子對應(yīng)于圖5所示的脈沖輸出電路的I至5的端子。圖5所示的脈沖輸出電路包括掃描方向轉(zhuǎn)換電路910、第一振幅補(bǔ)償電路920、第二振幅補(bǔ)償電路930、輸出電路940、開關(guān)元件952。掃描方向轉(zhuǎn)換電路910可以根據(jù)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)GU/D及掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)GU/Db來轉(zhuǎn)換掃描線的選擇順序。第一振幅補(bǔ)償電路920及第二振幅補(bǔ)償電路930根據(jù)起始脈沖信號(hào)GSP或從前級(jí)的脈沖輸出電路輸出的脈沖和從后級(jí)的脈沖輸出電路輸出的脈沖控制輸出電路940的開關(guān)。輸出電路940對時(shí)鐘信號(hào)GCLK或時(shí)鐘信號(hào)GCLKb的脈沖進(jìn)行取樣，并將其輸出到前級(jí)的脈沖輸出電路或掃描線 Gj (j=l至y)。開關(guān)元件952控制向輸出電路940的正向偏壓或反向偏壓的供應(yīng)。具體來說，掃描方向轉(zhuǎn)換電路910包括晶體管911至914。第一振幅補(bǔ)償電路920包括晶體管921、922。第二振幅補(bǔ)償電路930包括晶體管931、932。輸出電路940包括晶體管941、942。此外，在圖5中，開關(guān)元件952僅使用一個(gè)晶體管，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件952既可以使用多個(gè)晶體管，又可以使用晶體管以外的半導(dǎo)體元件。而且，晶體管911的柵極連接到端子4。此外，晶體管911的源極和漏極中的一個(gè)連接到端子2，而另一個(gè)連接到晶體管921的柵極及晶體管932的柵極。晶體管912的柵極連接到端子5。此外，晶體管912的源極和漏極中的一個(gè)連接到端子3，而另一個(gè)連接到晶體管921的柵極及晶體管932的柵極。晶體管913的柵極連接到端子5。另外，晶體管913的源極和漏極中的一個(gè)連接到端子2，而另一個(gè)連接到晶體管931的柵極。晶體管914的柵極連接到端子4。此外，晶體管914的源極和漏極中的一個(gè)連接到端子3，而另一個(gè)連接到晶體管931的柵極。晶體管921的源極和漏極中的一個(gè)被供應(yīng)電壓VDD或電壓VSS，而另一個(gè)連接到晶體管941的柵極。晶體管922的柵極連接到晶體管942的柵極。此外，晶體管922的源極和漏極中的一個(gè)連接到晶體管941的柵極，而另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS。晶體管931的源極和漏極中的一個(gè)被供應(yīng)電壓VCC或電壓VEE，而另一個(gè)連接到晶體管922的柵極及晶體管942的柵極。晶體管932的源極和漏極中的一個(gè)連接到晶體管922的柵極及晶體管942的柵極，而另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS或電壓VEE。晶體管941的源極和漏極中的一個(gè)連接到端子1，而另一個(gè)連接到掃描線Gj。晶體管942的源極和漏極中的一個(gè)連接到掃描線Gj，而另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS。此外，開關(guān)元件952的晶體管的柵極被供應(yīng)電壓VSS。另外，開關(guān)元件952的晶體管的源極和漏極中的一個(gè)連接到晶體管922的柵極及晶體管942的柵極，而另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS或電壓VEE。圖6示出在將圖像顯示在像素部中的期間中，圖5所示的脈沖輸出電路900的端子I至5以及掃描線Gj的電壓的時(shí)序圖。此外，圖6還示出輸入到晶體管941的柵極中的電壓INl和輸入到晶體管942的柵極中的電壓IN2的時(shí)序圖。
首先，如圖6所示，在顯示圖像的期間中示出輸入到端子4中的掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D的電壓為高電平,而輸入到端子5中的掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/Db的電壓為低電平的情況。因此，晶體管911及晶體管914導(dǎo)通，而晶體管912及晶體管913截止。與此相反，當(dāng)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D的電壓為低電平,并掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/Db的電壓為高電平時(shí),也只是轉(zhuǎn)換掃描方向。基本的工作 相同。此外，在顯示圖像的期間中，晶體管921的源極及漏極的一個(gè)被供應(yīng)電壓VDD。晶體管931的源極及漏極的一個(gè)被供應(yīng)電壓VCC。晶體管932的源極及漏極的另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS。開關(guān)元件952的晶體管的源極及漏極的另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS。而且，如圖6所示，在對端子2輸入起始脈沖信號(hào)GSP的脈沖之前，輸入到端子2及端子3中的電壓為低電平。因此，晶體管921、晶體管931及晶體管932都截止。此外，開關(guān)元件952的晶體管截止。由此，晶體管941和晶體管942的柵極保持有在前周期被供應(yīng)的電壓。接著，當(dāng)對端子2輸入起始脈沖信號(hào)GSP時(shí)，由于晶體管921及晶體管932的柵極被供應(yīng)高電平的電壓，從而晶體管921及晶體管932導(dǎo)通。因此，通過晶體管921，作為電壓皿將電壓VDD供應(yīng)到晶體管941的柵極，從而晶體管941導(dǎo)通。此外，由于通過晶體管932，作為電壓IN2將電壓VSS供應(yīng)到晶體管942的柵極，所以晶體管942截止。另外，開關(guān)元件952的晶體管保持截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，輸入到端子I的時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓為低電平，因此對掃描線Gj輸出低電平的電壓。此外，輸入到端子3的電壓保持低電平，晶體管931維持截止?fàn)顟B(tài)。通過晶體管932，將電壓VSS供應(yīng)到晶體管922的柵極，因此晶體管922截止。接著，由于當(dāng)再次對端子2輸入低電平的電壓時(shí)，對晶體管921及晶體管932的柵極供應(yīng)低電平的電壓，因此上述晶體管截止。此外，輸入到端子3的電壓保持低電平，從而晶體管931維持截止?fàn)顟B(tài)。晶體管922的柵極及晶體管942的柵極處于浮動(dòng)狀態(tài)，且電壓IN2維持低電平狀態(tài)，由此晶體管922及晶體管942截止。此外，開關(guān)元件952的晶體管保持截止?fàn)顟B(tài)。此時(shí)，晶體管941的柵極也處于浮動(dòng)狀態(tài)，但是輸入到端子I的時(shí)鐘信號(hào)GCLK的電壓也處于高電平，因此由自舉工作而晶體管的柵極電壓INl進(jìn)一步升高。因此，晶體管941維持導(dǎo)通狀態(tài)，從而時(shí)鐘信號(hào)GCLK的高電平的電壓被取樣，并輸出到掃描線Gj。接著，輸入到端子2的電壓維持低電平狀態(tài)，因此晶體管921及晶體管932保持截止?fàn)顟B(tài)。另一方面，輸入到端子3的電壓成為高電平，因此晶體管931導(dǎo)通。而且，通過晶體管931對晶體管922的柵極施加電壓VCC，晶體管922及晶體管942導(dǎo)通。由此，通過晶體管922，作為電壓INl將電壓VSS供應(yīng)到晶體管941的柵極，從而晶體管941截止。此外，通過晶體管931，作為電壓IN2將電壓VCC施加到晶體管942的柵極。另外，開關(guān)元件952的晶體管保持截止?fàn)顟B(tài)。因此，晶體管942導(dǎo)通，且通過晶體管942將電壓VSS供應(yīng)到掃描線Gj。接著，說明在校正晶體管942的閾值電壓的期間中的脈沖輸出電路900的工作。由于在校正閾值電壓的期間中，向信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)鐘信號(hào)GCLK、時(shí)鐘信號(hào)GCLKb、起始脈沖信號(hào)GSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/Db的輸入停止,因此對端子I至5供應(yīng)電壓VSS。并且，對晶體管921的源極及漏極中的一個(gè)供應(yīng)電壓VSS。對晶體管931的源極及漏極中的一個(gè)供應(yīng)電壓VEE。對晶體管932的源極及漏極的另一個(gè)供應(yīng)電壓VEE。對開關(guān)元件952的晶體管的源極及漏極的另一個(gè)供應(yīng)電壓VEE。因此，晶體管921及922截止，晶體管931及932截止，并且晶體管941及942截止。而且，開關(guān)元件952的晶體管導(dǎo)通，將反向偏壓VEE施加到晶體管942的柵極，來校正晶體管942的閾值電壓。此外，也可以在校正閾值電壓的期間中，對晶體管941的柵極供應(yīng)電壓VSS，以便確實(shí)地使晶體管941截止?；蛘撸部梢栽谛Ｕ撝惦妷旱钠陂g中，對掃描線Gj供應(yīng)電壓VSS。圖7示出脈沖輸出電路900的結(jié)構(gòu)，該脈沖輸出電路900還包括開關(guān)元件951以及開關(guān)元件953，該開關(guān)元件951控制施加到晶體管941的柵極的電壓VSS，而該開關(guān)元件953控制施加到掃描線Gj的電壓VSS。在圖7中，開關(guān)元件951僅使用一個(gè)晶體管，但是本 發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件951既可以使用多個(gè)晶體管，又可以使用晶體管之外的半導(dǎo)體元件。此外，在圖7中，開關(guān)元件953僅使用一個(gè)晶體管，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。開關(guān)元件953既可以使用多個(gè)晶體管，又可以使用晶體管之外的半導(dǎo)體元件。對開關(guān)元件951的晶體管的柵極供應(yīng)電壓VSS或電壓VL。開關(guān)元件951的晶體管的源極和漏極中的一個(gè)連接到晶體管941的柵極，而另一方被供應(yīng)電壓VSS。對開關(guān)元件953的晶體管的柵極供應(yīng)電壓VSS或電壓VL。開關(guān)元件953的晶體管的源極和漏極中的一個(gè)連接到掃描線Gj，而另一個(gè)被供應(yīng)電壓VSS。在顯示圖像的期間中，對開關(guān)元件951的晶體管的柵極及開關(guān)元件953的晶體管的柵極供應(yīng)電壓VSS，因此開關(guān)元件951的晶體管及開關(guān)元件953的晶體管截止。另一方面，在校正晶體管942的閾值電壓的期間中，對開關(guān)元件951的晶體管的柵極及開關(guān)元件953的晶體管的柵極供應(yīng)電壓VL。電壓VL具有使開關(guān)元件951的晶體管及開關(guān)元件953的晶體管導(dǎo)通的程度的高度。因此，通過導(dǎo)通了的開關(guān)元件951的晶體管，將電壓VSS供應(yīng)到晶體管941的柵極。此外，通過導(dǎo)通了的開關(guān)元件953的晶體管，將電壓VSS供應(yīng)到掃描線Gj。此外，不一定必須設(shè)置開關(guān)元件951和953。但是，通過設(shè)置開關(guān)元件951或953，可以在進(jìn)行校正的期間中，使掃描線Gj確實(shí)地成為電壓VSS。此外，雖然本實(shí)施方式說明了脈沖輸出電路900包括掃描方向轉(zhuǎn)換電路910的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。若是不需要轉(zhuǎn)換掃描線的選擇順序，就不一定必須設(shè)置掃描方向轉(zhuǎn)換電路910。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合實(shí)施。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中，說明本發(fā)明的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)。圖8示出本實(shí)施方式的顯示裝置的方框圖。圖8所示的顯示裝置包括具有具備顯示元件的多個(gè)像素的像素部400、在每一行中分別選擇各個(gè)像素的掃描線驅(qū)動(dòng)電路410、控制對被選擇的行的像素輸入視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420、閾值控制電路430、電源控制電路431。在圖8中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420包括移位寄存器421、第一鎖存器422、第二鎖存器423。向移位寄存器421中輸入時(shí)鐘信號(hào)SCLK、起始脈沖信號(hào)SSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)L/R。移位寄存器421根據(jù)這些時(shí)鐘信號(hào)SCLK及起始脈沖信號(hào)SSP生成脈沖按順序移動(dòng)的時(shí)序信號(hào)，并將其輸出到第一鎖存器422中。時(shí)序信號(hào)的脈沖出現(xiàn)的順序根據(jù)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)L/R轉(zhuǎn)換。當(dāng)對第一鎖存器422輸入時(shí)序信號(hào)時(shí)，視頻信號(hào)根據(jù)該時(shí)序信號(hào)的脈沖按順序被寫入到第一鎖存器422，并被保持。此外，雖然在本實(shí)施方式中，將視頻信號(hào)按順序?qū)懭氲降谝绘i存器422所具有的多個(gè)存儲(chǔ)電路中，然而本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以將第一鎖存器422所具有的多個(gè)存儲(chǔ)電路分成幾個(gè)組，進(jìn)行所謂的分割驅(qū)動(dòng)，即對該每個(gè)組同時(shí)輸入視頻信號(hào)。此外，此時(shí)的組數(shù)目稱為分割數(shù)。例如，在將鎖存器以每四個(gè)存儲(chǔ)電路分成組時(shí)，進(jìn)行四分驅(qū)動(dòng)。到將視頻信號(hào)都寫入到第一鎖存器422中的所有存儲(chǔ)電路的時(shí)間稱為行期間。實(shí)際上，有時(shí)將上述行期間加上水平回掃期間的期間包括在行期間中。當(dāng)一個(gè)行期間結(jié)束之后，根據(jù)輸入到第二鎖存器423中的鎖存信號(hào)LS的脈沖，保持在第一鎖存器422中的視頻信號(hào)同時(shí)寫入到第二鎖存器423中并被保持。對于將視頻信號(hào)傳輸?shù)降诙i存器423中的第一鎖存器422,再次根據(jù)來自移位寄存器421的時(shí)序信號(hào)按順序進(jìn)行下一次的視頻信號(hào)的寫入。在該第二周期的一行期間中，寫入到第二鎖存器423中并被保持的視頻信號(hào)輸入到像素部400。 信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420也可以使用能夠輸出脈沖按順序移動(dòng)的信號(hào)的其他電路而代替移位寄存器421。雖然在圖8中，像素部400直接連接到第二鎖存器423的后級(jí)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)?？梢栽谙袼夭?00的前級(jí)中設(shè)置對從第二鎖存器423輸出的視頻信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理的電路。作為執(zhí)行信號(hào)處理的電路的一個(gè)例子，例如可舉出能夠修改波形的緩沖器、能夠放大振幅的電平移動(dòng)器、能夠轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路等。接著，說明掃描線驅(qū)動(dòng)電路410的結(jié)構(gòu)。掃描線驅(qū)動(dòng)電路410包括移位寄存器411，并且移位寄存器411包括輸出電路412。此外，閾值控制電路430控制電源控制電路431，以使它將正向偏壓或反向偏壓供應(yīng)到掃描線驅(qū)動(dòng)電路410。在掃描線驅(qū)動(dòng)電路410中，通過對移位寄存器411供應(yīng)時(shí)鐘GCLK、起始脈沖信號(hào)GSP>以及掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D、正向偏壓,輸出電路412輸出脈沖按順序移動(dòng)的選擇信號(hào)。選擇信號(hào)的脈沖出現(xiàn)的順序根據(jù)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D轉(zhuǎn)換。通過將生成了的選擇信號(hào)的脈沖輸入到掃描線，具有該掃描線的行的像素被選擇，且視頻信號(hào)輸入到該像素中。此外，在掃描線驅(qū)動(dòng)電路410中，通過供應(yīng)反向偏壓，校正輸出電路412的晶體管的閾值電壓。雖然在圖8中，像素部400直接連接到移位寄存器411的后級(jí)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在像素部400的前級(jí)中設(shè)置對從移位寄存器411輸出的選擇信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理的電路。作為執(zhí)行信號(hào)處理的電路的一個(gè)例子，例如可舉出能夠修改波形的緩沖器、能夠放大振幅的電平移動(dòng)器等。此外，在采用有源矩陣型顯示裝置的情況下，一個(gè)行中的像素所具有的晶體管的柵極連接到掃描線。因此，在像素部400直接連接到移位寄存器411的后級(jí)的情況下，作為輸出電路412，優(yōu)選使用同時(shí)使一個(gè)行中的像素的晶體管導(dǎo)通的電流供應(yīng)能力高的晶體管。此外，可以將像素部400、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420形成在相同的襯底上，但是也可以將上述任何一種形成在不同的襯底上。
圖9A示出顯示裝置的一個(gè)方式，該顯示裝置將另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420安裝在形成有像素部400及掃描線驅(qū)動(dòng)電路410的襯底440上。此外，雖然在實(shí)際上以將像素部400夾在與襯底440之間的方式設(shè)置另一個(gè)襯底，但是圖9A示出省略另一個(gè)襯底的方式，以便明確像素部400、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420的配置。對像素部400、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410分別通過FPC441供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此外，閾值控制電路430或電源控制電路431、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410通過FPC441電連接。在圖9A中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。此外，當(dāng)安裝信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420之際，不一定需要將形成有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420的襯底貼附在形成有像素部400的襯底上，例如也可以將它貼附在FPC上。圖9B示出顯示裝置的一個(gè)方式，在該顯示裝置中另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420以貼附在FPC451上的方、式安裝在形成有像素部400及掃描線驅(qū)動(dòng)電路410的襯底450。此外，雖然在實(shí)際上以將像素部400夾在與襯底450之間的方式設(shè)置另一個(gè)襯底,但是圖9B圖不省略另一個(gè)襯底的方式，以明確像素部400、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420的配置。對像素部400、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410分別通過FPC451供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此夕卜，閾值控制電路430或電源控制電路431通過FPC451電連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路410。在圖9B中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。此外，也可以將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一部分形成在與像素部400及掃描線驅(qū)動(dòng)電路410相同的襯底上，且另行形成其他部分而安裝。圖9C示出顯示裝置的一個(gè)方式，在該顯示裝置中將另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420的移位寄存器421與像素部400及掃描線驅(qū)動(dòng)電路410 —起安裝在形成有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420所具有的第一鎖存器422、第二鎖存器423的襯底460上。此外，雖然在實(shí)際上設(shè)置另一個(gè)襯底以將像素部400夾在該襯底和襯底460之間，但是圖9C圖不省略另一個(gè)襯底的方式，以明確像素部400、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420的配置。對像素部400、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420、掃描線驅(qū)動(dòng)電路410分別通過FPC461供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此外，閾值控制電路430或電源控制電路431以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路410通過FPC461電連接。在圖9C中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路420也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。對另行形成的襯底的連接方法沒有特別的限制，可以使用已知方法如COG法、弓丨線鍵合法或TAB法等。此外，只要可以電連接，連接位置就不限于圖9A至9C所示的位置。而且，也可以另行形成控制器、CPU、存儲(chǔ)器等而連接。通過另行形成驅(qū)動(dòng)電路等的集成電路并將其安裝在襯底上，與將所有電路形成在與像素部相同的襯底上的情況相比可以提高成品率，并且可以根據(jù)每個(gè)電路的特性容易地實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化。此外，本發(fā)明的顯示裝置例如包括有源矩陣型顯示裝置如液晶顯示裝置、每個(gè)像素具有以有機(jī)發(fā)光元件(OLED)為代表的發(fā)光元件的發(fā)光裝置、DMD (數(shù)字微鏡裝置)、PDP(等離子體顯示面板)、FED (場致發(fā)射顯示器)等。此外，還包括無源矩陣型顯示裝置。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施方式5
在本實(shí)施方式中，對于本發(fā)明的顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，該結(jié)構(gòu)與實(shí)施方式4所示的結(jié)構(gòu)不同。圖19示出本實(shí)施方式的顯示裝置的方框圖。圖19所示的顯示裝置包括具有設(shè)有顯示元件的多個(gè)像素的像素部1900 ;針對每個(gè)行選擇各個(gè)像素的第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B ;控制對被選擇的像素輸入的視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920 ;第一閾值控制電路1930A ;第二閾值控制電路1930B ;第一電源控制電路1931A ;第二電源控制電路1931B ;以及掃描線驅(qū)動(dòng)控制電路1932。在圖19中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920包括移位寄存器1921、第一鎖存器1922、第二鎖存器1923。對移位寄存器1921輸入時(shí)鐘信號(hào)SCLK、起始脈沖信號(hào)SSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)L/R。移位寄存器1921根據(jù)這些時(shí)鐘信號(hào)SCLK及起始脈沖信號(hào)SSP生成脈沖按順序移動(dòng)的時(shí)序信號(hào)，并將其輸出到第一鎖存器1922。時(shí)序信號(hào)的脈沖出現(xiàn)的順序根據(jù)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)L/R轉(zhuǎn)換。當(dāng)對第一鎖存器1922輸入時(shí)序信號(hào)時(shí)，視頻信號(hào)根據(jù)該時(shí)序信號(hào)的脈沖按順序 寫入到第一鎖存器1922中并被保持。此外，雖然在本實(shí)施方式中對第一鎖存器1922所具有的多個(gè)存儲(chǔ)電路按順序?qū)懭胍曨l信號(hào)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以將第一鎖存器1922所具有的多個(gè)存儲(chǔ)電路分成幾個(gè)組，進(jìn)行所謂的分割驅(qū)動(dòng)，即對該每個(gè)組同時(shí)輸入視頻信號(hào)。此外，此時(shí)的組數(shù)目稱為分割數(shù)。例如，在將鎖存器以每四個(gè)存儲(chǔ)電路分成組時(shí)，進(jìn)行四分驅(qū)動(dòng)。到將視頻信號(hào)都寫入到第一鎖存器1922中的所有存儲(chǔ)電路的時(shí)間稱為行期間。實(shí)際上，有時(shí)將上述行期間加上水平回掃期間的期間包括在行期間中。當(dāng)一個(gè)行期間結(jié)束之后，根據(jù)輸入到第二鎖存器1923中的鎖存信號(hào)LS的脈沖，保持在第一鎖存器1922中的視頻信號(hào)同時(shí)寫入到第二鎖存器1923中并被保持。對于將視頻信號(hào)傳輸?shù)降诙i存器1923之后的第一鎖存器1922,再次根據(jù)來自移位寄存器1921的時(shí)序信號(hào)按順序進(jìn)行下一次的視頻信號(hào)的寫入。在該第二周期的一行期間中，寫入到第二鎖存器1923中并被保持的視頻信號(hào)輸入到像素部1900。此外，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920也可以使用能夠輸出脈沖按順序移動(dòng)的信號(hào)的其他電路而代替移位寄存器1921。此外，雖然在圖19中，像素部1900直接連接到第二鎖存器1923的后級(jí)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。可以在像素部1900的前級(jí)中設(shè)置對從第二鎖存器1923輸出的視頻信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理的電路。作為執(zhí)行信號(hào)處理的電路的一個(gè)例子，例如可舉出能夠修改波形的緩沖器、能夠放大振幅的電平移動(dòng)器、能夠轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路等。接著，說明第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B的結(jié)構(gòu)。第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A包括移位寄存器1911A，并且移位寄存器1911A包括輸出電路1912A。此外，第一閾值控制電路1930A控制第一電源控制電路1931A，以使它將正向偏壓或反向偏壓供應(yīng)到第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A。此外，第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B包括移位寄存器1911B，并且移位寄存器1911B包括輸出電路1912B。另外，第二閾值控制電路1930B控制第二電源控制電路1931B，以使它將正向偏壓或反向偏壓供應(yīng)到第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B。第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B被掃描線驅(qū)動(dòng)控制電路1932控制為使該掃描線驅(qū)動(dòng)電路中之一驅(qū)動(dòng)像素部1900，且將反向偏壓施加到該掃描線驅(qū)動(dòng)電路之另一個(gè)。就是說，在任意幀期間的第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A中，通過對移位寄存器1911A供應(yīng)時(shí)鐘GCLK、起始脈沖信號(hào)GSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D、正向偏壓，在脈沖按順序移動(dòng)的選擇信號(hào)從輸出電路1912A輸出的同時(shí),在第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B中第二閾值電壓控制電路1930B及第二電源控制電路1931B供應(yīng)反向偏壓，以校正輸出電路1912B的晶體管的閾值電壓。此外，在其他巾貞期間中由第一閾值控制電路1930A及第一電源控制電路1931A向第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A供應(yīng)反向偏壓，校正輸出電路1912A的晶體管的閾值電壓，同時(shí)在第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B中，通過對移位寄存器1911B供應(yīng)時(shí)鐘GCLK、起始脈沖信號(hào)GSP、掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D、正向偏壓，從輸出電路1912B輸出脈沖按順序移動(dòng)的選擇信號(hào)。此外，第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A或第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B中的選擇信號(hào)的脈沖出現(xiàn)的順序根據(jù)掃描方向轉(zhuǎn)換信號(hào)U/D轉(zhuǎn)換。通過將生成了的選擇信號(hào)的脈沖輸入到掃描線，選擇具有該掃描線的行的像素并將視頻信號(hào)輸入到該像素中。此外，雖然在圖19中，像素部1900直接連接到移位寄存器1911A或移位寄存器1911B的后級(jí)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以在像素部1900的前級(jí)中設(shè)置對從移位 寄存器1911A或移位寄存器1911B輸出的選擇信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理的電路。作為執(zhí)行信號(hào)處理的電路的一個(gè)例子，例如可舉出能夠修改波形的緩沖器、能夠放大振幅的電平移動(dòng)器等。此外，在采用有源矩陣型顯示裝置的情況下，一個(gè)行中的像素所具有的晶體管的柵極連接到掃描線。因此，在像素部1900直接連接到移位寄存器191IA或移位寄存器191IB的后級(jí)的情況下，作為輸出電路1912A或輸出電路1912B，優(yōu)選使用同時(shí)使一個(gè)行中的像素的晶體管導(dǎo)通的電流供應(yīng)能力高的晶體管。此外，可以將像素部1900、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920形成在相同的襯底上，但是也可以將上述中的任何一種形成在不同的襯底上。參照圖20A至20D示出一個(gè)例子來說明本實(shí)施方式所示的顯示裝置的具體工作。如圖20A和20B所示，在本實(shí)施方式的顯示裝置中，第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路19IOA或第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B中之一進(jìn)行使用正向偏壓的驅(qū)動(dòng)(下面，也稱為正常驅(qū)動(dòng))，而另一個(gè)進(jìn)行使用反向偏壓的驅(qū)動(dòng)(下面，也稱為反向偏壓驅(qū)動(dòng))。掃描線驅(qū)動(dòng)控制電路1932通過控制第一閾值控制電路1930A及第一電源控制電路1930A或者第二閾值控制電路1930B及第二電源控制電路1931B，對進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)的第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B中之一施加反向偏壓，來校正輸出電路1912A或輸出電路1912B的晶體管的閾值電壓。此外，當(dāng)進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)之際，輸出電路1912A或1912B的輸出處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。而且，在相同期間中，校正晶體管的閾值電壓的同時(shí)為進(jìn)行像素部1900的顯示而使第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A或第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)，從而可以進(jìn)行像素部1900的驅(qū)動(dòng)。圖20A示出使第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A以正常驅(qū)動(dòng)工作，而使第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B以反向偏壓驅(qū)動(dòng)工作的圖，并且圖20B示出使第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A以反向偏壓驅(qū)動(dòng)工作，而使第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B以正常驅(qū)動(dòng)工作的圖。在圖20C及20D中，作為交替進(jìn)行圖20A和20B所示的工作的結(jié)構(gòu)舉出一個(gè)例子來進(jìn)行說明。此外，在圖20C及20D中注意到第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A，將使第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)的情況表示為正常驅(qū)動(dòng)，而將使第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)的情況表示為反向偏壓驅(qū)動(dòng)。就是說，第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B在第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)的情況下進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)，而在第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)的情況下進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)。圖20C是示出第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A在每個(gè)幀期間交替使用正常驅(qū)動(dòng)及反向偏壓驅(qū)動(dòng)來工作的圖。如上所述，本實(shí)施方式的顯示裝置可以在進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)。因此，可以校正晶體管的閾值電壓，而不中斷像素部中的圖像顯示。由此可以提高顯示裝置的可靠性。圖20D是示出第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路19IOA針對每n(n為自然數(shù))個(gè)幀期間交替使用正常驅(qū)動(dòng)及反向偏壓驅(qū)動(dòng)來工作的圖。本實(shí)施方式所示的顯示裝置也可以與圖20C不同，而如圖20D所示那樣在每多個(gè)幀期間交替進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)及反向偏壓驅(qū)動(dòng)。而且，如上所述，本實(shí)施方式的顯示裝置可以在進(jìn)行正常驅(qū)動(dòng)的同時(shí)進(jìn)行反向偏壓驅(qū)動(dòng)。因此，可以校正晶體管的閾值電壓，而不中斷像素部中的圖像顯示。由此可以提高顯示裝置的可靠性。
圖21A示出顯示裝置的一個(gè)方式，該顯示裝置將另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920安裝在形成有像素部1900及第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B的襯底1940上。此外，雖然在實(shí)際上設(shè)置另一個(gè)襯底以將像素部1900夾在該襯底和襯底1940之間,但是圖21A圖不省略另一個(gè)襯底的方式，以明確像素部1900、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B的配置。對像素部1900、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B分別通過FPC1941供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此外，第一閾值控制電路1930A、第二閾值控制電路1930B、第一電源控制電路1931A、第二電源控制電路1931B、掃描線驅(qū)動(dòng)電路1932、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B通過FPC1941電連接在一起。在圖21A中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。此外，當(dāng)安裝信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920之際，不一定需要將形成有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920的襯底貼附在形成有像素部1900的襯底上，例如也可以將它貼附在FPC上。圖21B示出顯示裝置的一個(gè)方式，在該顯示裝置中另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920以貼附在FPC1951上的方式安裝在形成有像素部1900及第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B的襯底1950。此外，雖然在實(shí)際上設(shè)置另一個(gè)襯底以將像素部1900夾在該襯底和襯底1950之間，但是圖21B圖示省略另一個(gè)襯底的方式，以明確像素部1900、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920的配置。對像素部1900、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B分別通過FPC1951供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此外，第一閾值控制電路1930A、第二閾值控制電路1930B、第一電源控制電路1931A、第二電源控制電路1931B、掃描線驅(qū)動(dòng)控制電路1932、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B通過FPC1951電連接在一起。在圖21B中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。此外，也可以將信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的一部分形成在與像素部1900、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B相同的襯底上，且另行形成其他部分而安裝。圖21C示出顯示裝置的一個(gè)方式，在該顯示裝置中將另行形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920的移位寄存器1921與像素部1900第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B —起安裝在形成有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920所具有的第一鎖存器1922、第二鎖存器1923的襯底1960上。此外，雖然在實(shí)際上設(shè)置另一個(gè)襯底以將像素部1900夾在該襯底和襯底1960之間，但是圖21C圖示省略另一個(gè)襯底的方式，以明確像素部1900、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920的配置。對像素部1900、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A、及第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B分別通過FPC1961供應(yīng)電源的電壓、各種信號(hào)等。此外，第一閾值控制電路1930A、第二閾值控制電路1930B、第一電源控制電路1931A、第二電源控制電路1931B、掃描線驅(qū)動(dòng)控制電路1932、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910A和第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路1910B通過FPC1961電連接在一起。在圖21C中，信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路1920也可以包括使用單晶半導(dǎo)體的晶體管、使用多晶半導(dǎo)體的晶體管、或使用SOI的晶體管。此外，對另行形成的襯底的連接方法沒有特別的限制，可以使用已知方法如COG 法、引線鍵合法或TAB法等。此外，只要可以電連接，連接位置就不限于圖21A至21C所示的位置。而且，也可以另行形成控制器、CPU、存儲(chǔ)器等來連接。通過另行形成驅(qū)動(dòng)電路等的集成電路并安裝在襯底上，與將所有電路形成在與像素部相同的襯底上的情況相比可以提高成品率，并且可以根據(jù)每個(gè)電路的特性容易地實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化。此外，本發(fā)明的顯示裝置例如包括有源矩陣型顯示裝置如液晶顯示裝置、每個(gè)像素具有以有機(jī)發(fā)光元件(OLED)為典型的發(fā)光元件的發(fā)光裝置、DMD (數(shù)字微鏡裝置)、PDP(等離子體顯示面板)、FED (場致發(fā)射顯示器)等。此外，還包括無源矩陣型顯示裝置。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例I在本實(shí)施例中，說明本發(fā)明的顯示裝置所具有的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的更具體的結(jié)構(gòu)。圖10示出信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的電路圖的一個(gè)例子。圖10所示的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路包括移位寄存器501、第一鎖存器502、第二鎖存器503、電平移動(dòng)器504、緩沖器505。移位寄存器501包括多個(gè)D觸發(fā)器(DFF)506。并且，移位寄存器501根據(jù)被輸入的起始脈沖信號(hào)SSP及時(shí)鐘信號(hào)SCLK生成脈沖按順序移動(dòng)的時(shí)序信號(hào)，并將其輸入到后級(jí)的第一鎖存器502。第一鎖存器502包括多個(gè)存儲(chǔ)電路(LAT)507。而且,第一鎖存器502根據(jù)被輸入的時(shí)序信號(hào)的脈沖對視頻信號(hào)按順序進(jìn)行取樣，并將被取樣的視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)寫入到存儲(chǔ)電路507中。第二鎖存器503包括多個(gè)存儲(chǔ)電路(LAT) 508。存儲(chǔ)電路508的數(shù)目優(yōu)選與像素部中的一個(gè)行的像素?cái)?shù)目相同或比該像素?cái)?shù)目更多。在第一鎖存器502中寫入到存儲(chǔ)電路507中的視頻信號(hào)的數(shù)據(jù)根據(jù)輸入到第二鎖存器503中的鎖存信號(hào)LS的脈沖寫入到第二鎖存器503所具有的存儲(chǔ)電路508中，并被保持。而且，保持在存儲(chǔ)電路508中的數(shù)據(jù)，作為視頻信號(hào)輸入到后級(jí)的電平移動(dòng)器504中。電平移動(dòng)器504控制被輸入的視頻信號(hào)的電壓的振幅并輸入到后級(jí)的緩沖器505中。被輸入的視頻信號(hào)在緩沖器505中被修改其波形，然后輸入到信號(hào)線。本實(shí)施例可以與上述實(shí)施方式適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例2在本實(shí)施例中，說明本發(fā)明的顯示裝置之一的有源矩陣型發(fā)光裝置所具有的像素部的結(jié)構(gòu)。在有源矩陣型發(fā)光裝置中，每個(gè)像素設(shè)有相當(dāng)于顯示元件的發(fā)光元件。由于發(fā)光元件本身發(fā)光，所以其可見度高，不需要液晶顯示裝置所需的背光燈而最適合于薄型化，并且視角沒有限制。在本實(shí)施例中，說明使用發(fā)光元件之一的有機(jī)發(fā)光元件(OLED)的發(fā)光裝置。但是本發(fā)明也可以是使用其他發(fā)光元件的發(fā)光裝置。、
OLED具有包括可獲得通過施加電場產(chǎn)生的發(fā)光(電致發(fā)光)的材料的層(下面，寫為電場發(fā)光層)、陽極層、陰極層。作為電致發(fā)光，有當(dāng)從單態(tài)激發(fā)態(tài)回到基態(tài)之際的發(fā)光(熒光)以及當(dāng)從三重態(tài)激發(fā)態(tài)回到基態(tài)之際的發(fā)光(磷光)。本發(fā)明的發(fā)光裝置可以采用上述發(fā)光的任何一種或兩種。圖IlA示出本實(shí)施例的發(fā)光裝置的像素部601的放大圖。像素部601包括配置為矩陣狀的多個(gè)像素602。此外，SI至Sx相當(dāng)于信號(hào)線，Vl至Vx相當(dāng)于電源線，Gl至Gy相當(dāng)于掃描線。在本實(shí)施例中，像素602包括信號(hào)線SI至Sx中之一個(gè)、電源線Vl至Vx中之一個(gè)、以及掃描線Gl至Gy中之一個(gè)。圖IlB示出像素602的放大圖。在圖IlB中，603是開關(guān)晶體管。開關(guān)晶體管603的柵極連接到掃描線Gj (j=l至y)。開關(guān)晶體管603的源極和漏極之一個(gè)連接到信號(hào)線Si (i=l至X)，而另一個(gè)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管604的柵極。此外，在電源線Vi (i=l至X)和驅(qū)動(dòng)晶體管604的柵極之間設(shè)置有保持電容器606。保持電容器606為了在開關(guān)晶體管603截止時(shí)保持驅(qū)動(dòng)晶體管604的柵極電壓(柵極和源極之間的電壓)而設(shè)置。此外，雖然在本實(shí)施例中示出了設(shè)置保持電容器606的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不局限于該結(jié)構(gòu)，也可以不設(shè)置保持電容606。此外，驅(qū)動(dòng)晶體管604的源極和漏極之一個(gè)連接到電源線Vi(i=l至X)，而另一個(gè)連接到發(fā)光元件605。發(fā)光元件605包括陽極、陰極、以及設(shè)置在陽極和陰極之間的電場發(fā)光層。在陽極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管604的源極或漏極的情況下，陽極成為像素電極，而陰極成為相對電極。與此相反，陰極連接到驅(qū)動(dòng)晶體管604的源極或漏極的情況下，陰極成為像素電極，而陽極成為相對電極。對發(fā)光元件605的相對電極和電源線Vi分別供應(yīng)預(yù)定的電壓。根據(jù)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路輸入到掃描線Gl至Gy的選擇信號(hào)的脈沖，掃描線Gj被選擇。換言之，當(dāng)對應(yīng)于掃描線Gj的行的像素602被選擇時(shí)，在該行的像素602中其柵極連接到掃描線Gj的開關(guān)晶體管603導(dǎo)通。而且，當(dāng)視頻信號(hào)輸入到信號(hào)線Si時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管604的柵極電壓取決于該視頻信號(hào)的電壓。在驅(qū)動(dòng)晶體管604導(dǎo)通時(shí)，電源線Vi和發(fā)光元件605電連接,并且通過供應(yīng)電流,發(fā)光兀件605發(fā)光。與此相反，由于在驅(qū)動(dòng)晶體管604截止時(shí)，電源線Vi和發(fā)光元件605不電連接，因此不對發(fā)光元件605供應(yīng)電流，發(fā)光元件605不發(fā)光。此外，n溝道型晶體管和p溝道型晶體管都可以用作開關(guān)晶體管603和驅(qū)動(dòng)晶體管604。但是，在驅(qū)動(dòng)晶體管604的源極或漏極與發(fā)光元件605的陽極連接的情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管604優(yōu)選為p溝道型晶體管。另外，在驅(qū)動(dòng)晶體管604的源極或漏極與發(fā)光元件605的陰極連接的情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管604優(yōu)選為n溝道型晶體管。另外，開關(guān)晶體管603和驅(qū)動(dòng)晶體管604除了具有單柵極結(jié)構(gòu)以外，還可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)或三柵極結(jié)構(gòu)等多柵極結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明可以應(yīng)用于包括具有除了圖IIA和IIB所示的電路結(jié)構(gòu)之外，還具有各種電路結(jié)構(gòu)的像素的顯示裝置 。本發(fā)明的顯示裝置所包括的像素也可以具有如下電路結(jié)構(gòu)，例如具有能夠校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的閾值校正型電路結(jié)構(gòu)；以及通過輸入電流能夠校正驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值及遷移率的電流輸入型的電路結(jié)構(gòu)等。本實(shí)施例也可以與上述實(shí)施方式或上述實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例3在本實(shí)施例中，說明本發(fā)明的顯示裝置的一種，即有源矩陣型液晶顯示裝置所具有的像素部的結(jié)構(gòu)。圖12示出本實(shí)施例的顯示裝置的像素部610的放大圖。在圖12中，像素部610包括配置為矩陣狀的多個(gè)像素611。此外，SI至Sx相當(dāng)于信號(hào)線，Gl至Gy相當(dāng)于掃描線。在本實(shí)施例中,像素611包括信號(hào)線SI至Sx中之一個(gè)、以及掃描線Gl至Gy中之一個(gè)。像素611包括用作開關(guān)元件的晶體管612、相當(dāng)于顯示元件的液晶單元613、保持電容器614。液晶單元613包括像素電極、相對電極、夾在像素電極和相對電極之間的液晶。晶體管612的柵極連接到掃描線Gj (j=l至y)，并且晶體管612的源極及漏極中之一個(gè)連接到信號(hào)線Si (i=l至X)，而另一個(gè)連接到液晶單元613的像素電極。此外，保持電容614所具有的兩個(gè)電極中之一個(gè)連接到液晶單元613的像素電極，而另一個(gè)連接到共同電極。共同電極可以連接到液晶單元613的相對電極或連接到其他掃描線。掃描線Gj根據(jù)從掃描線驅(qū)動(dòng)電路輸入到掃描線Gl至Gy的選擇信號(hào)的脈沖被選擇，換言之，當(dāng)對應(yīng)于掃描線Gj的行的像素611被選擇時(shí)，在該行的像素611中其柵極連接到掃描線Gj的晶體管612導(dǎo)通。而且，當(dāng)視頻信號(hào)從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路輸入到信號(hào)線Si時(shí)，根據(jù)該視頻信號(hào)的電壓，將電壓施加到液晶單元613的像素電極和相對電極之間。液晶單元613的透過率取決于施加到像素電極和相對電極之間的電壓的值。此外，液晶單元613的像素電極和相對電極之間的電壓保持在保持電容器614中。本實(shí)施例可以與上述實(shí)施方式或上述實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例4接著，說明本發(fā)明的顯示裝置的具體制造方法。此外，在本實(shí)施例中，以具有晶體管的發(fā)光裝置為例子來進(jìn)行說明。首先，如圖13所示，在襯底700上形成導(dǎo)電膜，然后通過將該導(dǎo)電膜加工(構(gòu)圖)為預(yù)定的形狀，形成導(dǎo)電膜701、702。作為襯底700，例如可以使用玻璃襯底如硼硅酸鋇玻璃和硼硅酸鋁玻璃等、石英襯底、陶瓷襯底等。此外，也可以使用包括不銹鋼襯底的金屬襯底或硅襯底等半導(dǎo)體襯底。雖然由具有柔性的合成樹脂如塑料等構(gòu)成的襯底的耐熱溫度一般低于上述襯底的耐熱溫度，但只要能夠耐受制造工序中的處理溫度，就可以使用。作為塑料襯底，可以舉出以聚對苯二甲酸乙二酯(PET)為典型的聚酯、聚醚砜(PES)、聚萘二酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙酸乙烯酯、丙烯樹脂等。作為導(dǎo)電膜701、702，可以使用鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鑰(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鈮(Nb)等。另外，既可以使用以上述金屬為主要成分的合金，又可以使用包含上述金屬的化合物?；蛘撸部梢允褂脤Π雽?dǎo)體膜摻雜了賦予導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素如磷等而成的多晶硅等半導(dǎo)體來形成。此外，雖然在本實(shí)施例中，使用一個(gè)導(dǎo)電膜形成導(dǎo)電膜701、702，但是本實(shí)施例不局限于該結(jié)構(gòu)。也可以通過層疊兩個(gè)以上導(dǎo)電膜形成導(dǎo)電膜701、702。在采用層疊三個(gè)以上導(dǎo)電膜的三層結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選采用鑰膜、鋁膜、和鑰膜的疊層結(jié)構(gòu)。當(dāng)形成導(dǎo)電膜時(shí)，可以使用CVD法、濺射法等。接著，以覆蓋導(dǎo)電膜701、702的方式形成柵極絕緣膜703。可以通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等，使用包含氧化硅、氮化硅(SiNx、Si3N4等)、氧氮化硅(Si0XNy)(X>y>0)、氮氧化娃(SiNxOy) (x>y>0)等的膜的單層或疊層形成柵極絕緣膜703。在層疊時(shí),例如優(yōu)選采 用從導(dǎo)電膜701、702 —側(cè)層疊氧化娃膜、氮化娃膜、和氧化娃膜的三層結(jié)構(gòu)。 接著，在柵極絕緣膜703上形成第一半導(dǎo)體膜704。第一半導(dǎo)體膜704的厚度為20nm至200nm (優(yōu)選為40nm至170nm,更優(yōu)選為50nm至150nm)。此外，第一半導(dǎo)體膜704既可以是非晶半導(dǎo)體，又可以是多晶半導(dǎo)體。此外，作為半導(dǎo)體，除了硅以外，還可以使用硅鍺。在使用娃鍺的情況下，鍺的濃度優(yōu)選為0. 01atomic%至4. 5atomic%左右。此外，第一半導(dǎo)體膜704也可以通過已知的技術(shù)來結(jié)晶。作為已知的晶化方法，有利用激光的激光晶化法、使用催化元素的晶化法?；蛘?，也可以采用組合了使用催化元素的晶化法和激光晶化法的方法。另外，在使用石英等具有優(yōu)越的耐熱性的襯底作為襯底700的情況下，也可以采用組合使用電熱爐的熱晶化法、利用紅外光的燈退火晶化法或使用催化元素的晶化法、以及950°C左右的高溫退火的晶化法。例如，在采用激光晶化的情況下，在進(jìn)行激光晶化之前對第一半導(dǎo)體膜704以550°C進(jìn)行4小時(shí)的加熱處理，以便提高相對于激光的第一半導(dǎo)體膜704的耐性。之后，通過使用能夠連續(xù)振蕩的固體激光器照射基波的二次至四次諧波的激光，而可以獲得粒徑大的晶體。例如，典型地是，優(yōu)選使用Nd = YVO4激光器(基波為1064nm)的二次諧波(532nm)或三次諧波(355nm)。具體而言，使用非線性光學(xué)元件將從連續(xù)振蕩型的YVO4激光器發(fā)射的激光轉(zhuǎn)換為高次諧波以獲得輸出功率為IOW的激光。優(yōu)選地是，通過利用光學(xué)系統(tǒng)在照射表面上形成矩形或橢圓形的激光，并且將它照射到第一半導(dǎo)體膜704。此時(shí)需要0. OlMW/cm2至100MW/cm2左右(優(yōu)選為0. lMW/cm2至10MW/cm2)的能量密度。而且，以10cm/sec至2000cm/sec左右的掃描速度進(jìn)行照射。作為連續(xù)振蕩的氣體激光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器等。另外，作為連續(xù)振蕩的固體激光器，可以使用YAG激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、鎂橄欖石(Mg2SiO4)激光器、GdVO4激光器、Y2O3激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti :藍(lán)寶石激光器等。另外，作為脈沖振蕩的激光器，例如可以使用Ar激光器、Kr激光器、受激準(zhǔn)分子激光器、CO2激光器、YAG激光器、Y2O3激光器、YVO4激光器、YLF激光器、YAlO3激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變石激光器、Ti :藍(lán)寶石激光器、銅蒸氣激光器、或金蒸氣激光器。另外，也可以通過將脈沖振蕩的激光的振蕩頻率設(shè)定為IOMHz以上并且使用明顯高于通常使用的幾十Hz至幾百Hz的頻帶的頻帶，來進(jìn)行激光晶化。一般認(rèn)為從以脈沖振蕩的方式將激光照射到第一半導(dǎo)體膜704后直到第一半導(dǎo)體膜704完全固化的時(shí)間是幾十nsec至幾百nsec。因此，通過使用上述頻率，在第一半導(dǎo)體膜704因激光而熔融到固化的期間，可以照射下一個(gè)脈沖的激光。因此，由于可以在第一半導(dǎo)體膜704中連續(xù)移動(dòng)固液界面，所以形成具有朝向掃描方向連續(xù)生長的晶粒的第一半導(dǎo)體膜704。具體而言，可以形成被包含的晶粒的在掃描方向上的寬度為10 ii m至30 ii m并且在垂直于掃描方向的方向上的寬度為Ium至5i!m左右的晶粒的集合。通過形成該沿著掃描方向連續(xù)生長的單晶晶粒，可以形成至少在晶體管的溝道方向上幾乎不存在晶粒界的第一半導(dǎo)體膜704。激光晶化既可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光和連續(xù)振蕩的高次諧波的激光，又可以并行照射連續(xù)振蕩的基波的激光和脈沖振蕩的高次諧波的激光。也可以在稀有氣體或氮等惰性氣體氣氛中照射激光。根據(jù)這種方式，可以抑制由于激光照射而導(dǎo)致的半導(dǎo)體表面的粗糙，并且可以抑制由于界面態(tài)密度的不均勻性而產(chǎn)生的閾值的不均勻性。 通過上述的激光照射形成進(jìn)一步提高了結(jié)晶性的第一半導(dǎo)體膜704。另外，也可以使用通過濺射法、等離子體CVD法、熱CVD法等預(yù)先形成的多晶半導(dǎo)體作為第一半導(dǎo)體膜
704。另外，雖然在本實(shí)施例中使第一半導(dǎo)體膜704晶化，但也可以不使它晶化而使用非晶半導(dǎo)體膜或微晶半導(dǎo)體膜地進(jìn)入后續(xù)的工藝。因?yàn)槭褂梅蔷О雽?dǎo)體或微晶半導(dǎo)體的晶體管的制造工序數(shù)目少于使用多晶半導(dǎo)體的晶體管的制造工序數(shù)目，所以其具有可以抑制成本而提聞成品率的優(yōu)點(diǎn)。非晶半導(dǎo)體可以通過包含硅的氣體的輝光放電分解而獲得。作為包含硅的氣體，可以舉出SiH4、Si2H6。也可以使用氫或氫及氦稀釋上述包含硅的氣體來使用。接著，在第一半導(dǎo)體膜704上按順序形成第二半導(dǎo)體膜705、第三半導(dǎo)體膜706。故意不添加用來控制價(jià)電子的雜質(zhì)元素來形成第二半導(dǎo)體膜705。該第二半導(dǎo)體膜705具有一導(dǎo)電型，并且通過形成在第三半導(dǎo)體膜706和第一半導(dǎo)體膜704之間，具有與緩沖層類似的功能，該第三半導(dǎo)體膜706用來形成用作源極的源區(qū)域及用作漏極的漏區(qū)域。因此，在形成第三半導(dǎo)體膜706的情況下，不一定需要第二半導(dǎo)體膜705，該第三導(dǎo)電膜706相對于具有弱n型的導(dǎo)電性和與第一半導(dǎo)體膜704,具有相同的一導(dǎo)電型。在為控制閾值而添加賦予P型的雜質(zhì)元素的情況下，第二半導(dǎo)體膜705具有逐漸使雜質(zhì)濃度改變的效果，從而實(shí)現(xiàn)為了良好地形成接合上優(yōu)選的狀態(tài)。就是說，在所形成的晶體管中，第二半導(dǎo)體膜705可以用作形成在溝道形成區(qū)域和源區(qū)域或漏區(qū)域之間的低濃度雜質(zhì)區(qū)域(LDD區(qū)域)。在形成n溝道型晶體管時(shí)，對具有一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體膜706添加以磷為典型的雜質(zhì)兀素，并且對含娃的氣體添加PH3等的雜質(zhì)氣體，即可。與第一半導(dǎo)體膜704相同地，第二半導(dǎo)體膜705和第三半導(dǎo)體膜706既可以是非晶半導(dǎo)體，又可以是多晶半導(dǎo)體。此外，作為半導(dǎo)體，除了硅之外還可以使用硅鍺。如上所述，可以在不接觸大氣的狀態(tài)下連續(xù)形成從柵極絕緣膜703至具有一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體膜706。就是說，由于可以形成各個(gè)疊層界面而不被大氣成分及懸浮在大氣中的污染雜質(zhì)污染，所以可以減少晶體管特性的不均勻。接著，如圖13B所示那樣形成掩模707，然后將第一半導(dǎo)體膜704、第二半導(dǎo)體膜705、具有一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體膜706加工(構(gòu)圖)為所希望的形狀并分開為島狀。如圖13C所示，在去除掩模707之后形成第二導(dǎo)電膜708。使用鋁、或以鋁為主要成分的導(dǎo)電材料形成第二導(dǎo)電膜708。作為該第二導(dǎo)電膜708的與半導(dǎo)體膜接觸一側(cè)的層也可以采用由鈦、鉭、鑰、鎢、銅或上述元素的氮化物形成的疊層結(jié)構(gòu)。例如，也可以采用如下材料的疊層第一層是Ta，第二層是W ;第一層是氮化鉭，第二層是Al ;第一層是氮化鉭，第二層是銅；第一層是鈦，第二層是鋁，第三層是鈦。此外，第一層及第二層的任何一個(gè)也可以采用AgPdCu合金。還可以采用按順序?qū)盈B鎢、鋁和硅的合金(Al-Si)、氮化鉭的三層結(jié)構(gòu)。也可以使用氮化鎢代替鎢，使用鋁和鈦的合金膜(Al-Ti)代替鋁和硅的合金(Al-Si)，也可以使用鈦代替氮化鉭。也可以將0. 5&101]1；^%至5atomic%的鈦、娃、鈧、釹、銅等的元素添加到鋁中，以提高耐熱性。接著，如圖14A所示那樣形成掩模709。掩模709是用來通過對第二導(dǎo)電膜708進(jìn)行構(gòu)圖形成與源區(qū)域或漏區(qū)域連接的布線的掩模，并且該掩模709兼用作去除具有一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體膜706并形成溝道形成區(qū)域的蝕刻掩模。也可以使用BCl3Xl2等的氯化物 氣體進(jìn)行鋁或以鋁為主要成分的導(dǎo)電膜的蝕刻。通過該蝕刻加工，利用第二導(dǎo)電膜708形成布線710至713。此外，作為用來形成溝道形成區(qū)域的蝕刻，使用SF6、NF3、CF4等的氟化物氣體進(jìn)行蝕刻。由于在此情況下不能獲得與成為基底的第一半導(dǎo)體膜704的蝕刻選擇比，因此適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)處理時(shí)間而進(jìn)行蝕刻。如此，可以形成溝道蝕刻型晶體管的結(jié)構(gòu)。接著，在去除掩模709之后，如圖14B所示那樣使用氮化硅膜形成用來保護(hù)溝道形成區(qū)域的絕緣膜714?？梢酝ㄟ^濺射法、輝光放電分解法形成該氮化硅膜。該氮化硅膜用來防止懸浮在大氣中的有機(jī)物、金屬物、水蒸氣等的污染雜質(zhì)的進(jìn)入，從而要求是致密的膜。通過以硅為靶子，并使用混合有氮和稀有氣體如氬等的濺射氣體進(jìn)行高頻濺射，可以形成更致密的氮化硅膜。接著，如圖14C所示，在絕緣膜714上形成以平坦化為目的的絕緣膜715。絕緣膜715優(yōu)選使用丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺等的有機(jī)樹脂、或包含硅烷樹脂的絕緣膜形成。硅烷樹脂相當(dāng)于以硅烷類材料為起始材料形成的包含Si-O-Si鍵的樹脂。硅烷樹脂作為取代基也可以具有氫、氟、氟基團(tuán)、有機(jī)基(例如，烴基、芳香烴)之中的至少一種作為取代基。這些材料具有吸水性。因此，優(yōu)選在絕緣膜715上形成用來防止水份的進(jìn)入及釋放的絕緣膜716。作為絕緣膜716，應(yīng)用上述氮化硅膜，即可。接著，通過對絕緣膜714、715、716進(jìn)行構(gòu)圖，形成使布線713的一部分露出的開口部。然后，形成在開口部中接觸于布線713的布線717。接著，如圖15A所示，以與布線717接觸的方式將陽極718形成在絕緣膜716上。在本實(shí)施例中采用濺射法并使用包含氧化硅的氧化銦錫(ITS0)來形成導(dǎo)電膜，然后對該導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖形成陽極718。此外，除了 ITSO之外，還可以使用氧化銦錫(IT0)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZ0)、添加有鎵的氧化鋅(GZO)等的ITSO以外的透光氧化物導(dǎo)電材料來形成陽極718。在使用ITSO的情況下，作為靶子，可以使用包含2wt%至10wt%的氧化硅的IT0。具體而言，在本實(shí)施例中使用以85 10 5的重量％比例包含ln203、SnO2, SiO2的靶子，并在如下條件下形成成為陽極718的導(dǎo)電膜Ar流量為50sccm, O2流量為3sccm,#i射壓力為0. 4Pa，濺射電力為lkW，形成膜的速度為30nm/min，且膜厚度為105nm。
形成導(dǎo)電膜，然后也可以在構(gòu)圖之前，通過CMP法、及利用使用聚乙烯醇類多孔質(zhì)的擦洗等進(jìn)行研磨，以便使其表面平坦化。接著，在絕緣膜716上以覆蓋布線717和陽極718的一部分的方式形成具有開口部的分隔壁719。在分隔壁719的開口部中，陽極718的一部分露出?？梢允褂糜袡C(jī)樹脂膜、無機(jī)絕緣膜或硅烷類絕緣膜形成分隔壁719。例如，作為有機(jī)樹脂膜，可使用丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺等，而作為無機(jī)絕緣膜，可使用氧化硅、氮氧化硅等。形成開口部之際使用的掩?？梢酝ㄟ^液滴噴出法或印刷法形成。此外，分隔壁719本身也可以通過液滴噴出法或印刷法形成。接著，在本發(fā)明中，在形成電場發(fā)光層720之前，在大氣氣氛中進(jìn)行加熱處理或在真空氣氛中進(jìn)行加熱處理(真空烘干)以便去除附著到分隔壁719和陽極718的水分及氧等。具體來說，在真空氣氛中進(jìn)行大約0. 5小時(shí)至20小時(shí)的加熱處理，此時(shí)的襯底的溫度為200°C至450°C，優(yōu)選為250°C至300°C。優(yōu)選在4X KT5Pa以下，若是可能，在4X KT6Pa以下進(jìn)行加熱處理更優(yōu)選。而且，當(dāng)在進(jìn)行真空氣氛中的加熱處理之后形成電場發(fā)光層720·時(shí)，可以通過將該襯底直到就要形成電場發(fā)光層720時(shí)放置在真空氣氛中，進(jìn)一步提高可靠性。此外，在真空烘干之前或之后，也可以對陽極718照射紫外線。接著，如圖15B所示，在陽極718上形成電場發(fā)光層720。電場發(fā)光層720由一個(gè)或多個(gè)層構(gòu)成，在各個(gè)層中，除了有機(jī)材料以外還可以包含有無機(jī)材料。作為在電場發(fā)光層720中的發(fā)光，包括當(dāng)從單態(tài)激發(fā)態(tài)回到基態(tài)之際的發(fā)光(熒光)以及當(dāng)從三重態(tài)激發(fā)態(tài)回到基態(tài)之際的發(fā)光(磷光)。接著，覆蓋電場發(fā)光層720地形成陰極721。作為陰極721，一般地可以使用功函數(shù)低的金屬、合金、導(dǎo)電化合物、以及上述材料的混合物等。具體來說，也可以使用Li、Cs等的堿金屬、Mg、Ca、Sr等的堿土金屬、包含上述金屬的合金(Mg :Ag、Al Li等)、Yb、Er等的稀土金屬形成。此外，通過與陰極721接觸地形成包括電子注入性高的材料的層，也可以采用使用鋁、及氧化物導(dǎo)電材料等的一般導(dǎo)電膜。陽極718、電場發(fā)光層720、陰極721在分隔壁719的開口部中重疊。該重疊部分相當(dāng)于發(fā)光元件722。此外，在形成發(fā)光元件722之后，也可以在陰極721上形成絕緣膜。作為該絕緣膜，與絕緣膜716相同地使用與其他絕緣膜相比不容易使水分及氧等成為促進(jìn)發(fā)光元件的退化原因的物質(zhì)透過的膜。典型地，例如優(yōu)選地使用DLC膜、氮化碳膜、通過RF濺射法形成的氮化硅膜等。此外，也可以層疊上述不容易使?jié)駳饧把醯鹊奈镔|(zhì)透過的膜和與該膜相比容易使?jié)駳饧把醯鹊奈镔|(zhì)透過的膜來用作上述絕緣膜。此外，在圖15A和15B中，示出發(fā)自發(fā)光元件722的光照射到襯底700—側(cè)的結(jié)構(gòu)，但是還可以采用光向與襯底700相反的方向前進(jìn)的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。實(shí)際上，當(dāng)完成到圖15B時(shí)，優(yōu)選使用氣密性高且脫氣體少的保護(hù)膜(貼合膜、紫外線固化樹脂膜等)及透光覆蓋材料封裝(封入)，以防止被暴露在外氣。此時(shí)，通過使覆蓋材料的內(nèi)部處于惰性氣氛，或在內(nèi)部配置吸濕材料(例如，氧化鋇)，可使發(fā)光元件的可靠性提聞。本實(shí)施例可以與上述實(shí)施方式或上述實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例5
在本實(shí)施例中，以本發(fā)明的顯示裝置之一的發(fā)光裝置為例子，參照圖16A和16B說明其外觀。圖16A是使用密封材料將形成在第一襯底上的晶體管及發(fā)光元件密封在第一襯底和第二襯底之間的面板的俯視圖。圖16B相當(dāng)于圖16A的沿A-A’的截面圖。圍繞設(shè)置在第一襯底4001上的像素部4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004地設(shè)置有密封材料4020。此外，在像素部4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003及掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004上設(shè)置有第二襯底4006。因此，在第一襯底4001和第二襯底4006之間，使用密封材料4020與填充材料4007 —起密封像素部4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003及掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004。此外，設(shè)置在第一襯底4001上的像素部4002、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003及掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004都包括多個(gè)晶體管。在圖16B中，例示包括在信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003的晶體管 4008和包括在像素部4002的驅(qū)動(dòng)晶體管4009及開關(guān)晶體管4010。另外，發(fā)光元件4011將連接到驅(qū)動(dòng)晶體管4009的源區(qū)域或漏區(qū)域的布線4017的一部分用作其像素電極。此外，發(fā)光元件4011除了像素電極之外還包括相對電極4012和電場發(fā)光層4013。此外,發(fā)光兀件4011的結(jié)構(gòu)不局限于本實(shí)施例所不的結(jié)構(gòu)。根據(jù)從發(fā)光元件4011取出的光的方向及驅(qū)動(dòng)晶體管4009的極性可以適當(dāng)?shù)馗淖儼l(fā)光元件4011的結(jié)構(gòu)。此外，雖然在圖16B所示的截面圖中，不圖示供應(yīng)到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4003、掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004或像素部4002的各種信號(hào)及電壓，但是通過引出布線4014及4015，從連接端子4016供應(yīng)該各種信號(hào)及電壓。另外，從閾值控制電路或電源控制電路對掃描線驅(qū)動(dòng)電路4004通過引出布線4014及4015供應(yīng)反向偏壓。在本實(shí)施例中，連接端子4016由與發(fā)光元件4011所具有的相對電極4012相同的導(dǎo)電膜形成。此外，引出布線4014由與布線4017相同的導(dǎo)電膜形成。另外，引出布線4015由與驅(qū)動(dòng)晶體管4009、開關(guān)晶體管4010、晶體管4008分別具有的柵電極相同的導(dǎo)電膜形成。連接端子4016通過各向異性導(dǎo)電膜4019電連接到FPC4018所具有的端子。此外，作為第一襯底4001、第二襯底4006，可以使用玻璃、金屬(其典型是不銹鋼)、陶瓷、塑料。但是位于從發(fā)光元件4011取出光的方向的第二襯底4006需要具有透光性。因此，作為第二襯底4006，優(yōu)選使用如玻璃板、塑料板、聚酯膜、或丙烯膜的具有透光性的材料。此外，除了氮、氬等惰性氣體之外，還可以使用紫外線固化樹脂或熱固化樹脂作為填充材料4007。在本實(shí)施例中，示出使用氮作為填充材料4007的例子。本實(shí)施例可以與上述實(shí)施方式或上述實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。實(shí)施例6作為可以使用本發(fā)明的顯示裝置的電子設(shè)備，可以舉出移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)或電子圖書、攝像機(jī)、靜態(tài)數(shù)字照相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器(頭盔顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(車載音響、立體聲組合音響等)、筆記本型個(gè)人計(jì)算機(jī)、具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置(具體為再現(xiàn)DVD (數(shù)字通用光盤)等記錄介質(zhì)且具有可以顯示其圖像的顯示器的裝置)等。這些電子設(shè)備的具體例子示于圖17A至17C。圖17A示出移動(dòng)電話，包括主體2101、顯示部2102、聲音輸入部2103、聲音輸出部2104、操作鍵2105。通過將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于顯示部2102，可以獲得可靠性高的移動(dòng)電話。圖17B示出攝像機(jī)，包括主體2601、顯示部2602、框體2603、外部連接接口 2604、遙控接收部2605、接收圖像部2606、電池2607、聲音輸入部2608、操作鍵2609、目鏡部2610
等。通過將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于顯示部2602，可以獲得可靠性高的攝像機(jī)。圖17C示出影像顯示裝置，包括框體2401、顯示部2402、揚(yáng)聲部2403等。通過將本發(fā)明的顯示裝置應(yīng)用于顯示部2402，可以獲得可靠性高的影像顯示裝置。此外，影像顯示裝置包括用來顯示影像的所有影像顯示裝置如個(gè)人計(jì)算機(jī)用、TV播放接收用、廣告顯示用等影像顯示裝置。如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍非常廣泛，因此可以應(yīng)用于所有領(lǐng)域的電子設(shè)備。 本實(shí)施例可以與上述實(shí)施方式或上述實(shí)施例適當(dāng)?shù)亟M合而實(shí)施。本說明書根據(jù)2007年4月5日在日本專利局受理的日本專利申請編號(hào)2007-098950以及2007年8月31日在日本專利局受理的日本專利申請編號(hào)2007-226132而制作，所述申請內(nèi)容包括在本說明書中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一晶體管、 第二晶體管、 第三晶體管、 第四晶體管、 第五晶體管、 第六晶體管、以及 第七晶體管， 其中所述第一晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第二晶體管的源極和漏極之一以及所述第五晶體管的柵極， 其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第四晶體管的柵極， 其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第三晶體管的源極和漏極之一、所述第四晶體管的源極和漏極之一、所述第六晶體管的柵極、以及所述第七晶體管的源極和漏極之一，并且 其中所述第五晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第六晶體管的源極和漏極之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第七晶體管中的至少一個(gè)是薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管是n溝道型晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管是P溝道型晶體管。
5.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，還包括像素部。
6.一種顯示裝置，包括權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，該顯示裝置是從由液晶顯示裝置、包括有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光裝置、數(shù)字微反射鏡裝置、等離子體顯示面板以及場發(fā)射顯示器組成的組中選擇的一種。
7.一種電子裝置，包括權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體裝置，該電子裝置是從由移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)、電子書閱讀器、視頻照相機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置、筆記本型計(jì)算機(jī)以及具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的組中選擇的一種。
8.一種半導(dǎo)體裝置，包括 第一晶體管、 第二晶體管、 第三晶體管、 第四晶體管、 第五晶體管、 第六晶體管、 第七晶體管、 第八晶體管、以及 第九晶體管， 其中所述第一晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第二晶體管的源極和漏極之一、所述第五晶體管的柵極、以及所述第八晶體管的源極和漏極之一， 其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第四晶體管的柵極，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第三晶體管的源極和漏極之一、所述第四晶體管的源極和漏極之一、所述第六晶體管的柵極、以及所述第七晶體管的源極和漏極之一，并且 其中所述第五晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第六晶體管的源極和漏極之一、以及所述第九晶體管的源極和漏極之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一至第七晶體管中的至少一個(gè)是薄膜晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管是n溝道型晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第七晶體管是p溝道型晶體管。
12.—種顯示裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，還包括像素部。
13.—種顯示裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，該顯示裝置是從由液晶顯示裝置、包括有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光裝置、數(shù)字微反射鏡裝置、等離子體顯示面板以及場發(fā)射顯示器組成的組中選擇的一種。
14.一種電子裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，該電子裝置是從由移動(dòng)電話、便攜式游戲機(jī)、電子書閱讀器、視頻照相機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)目鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、音頻再現(xiàn)裝置、筆記本型計(jì)算機(jī)以及具有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)裝置組成的組中選擇的一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置、顯示裝置以及電子裝置，該半導(dǎo)體裝置包括第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、以及第七晶體管，其中所述第一晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第二晶體管的源極和漏極之一以及所述第五晶體管的柵極，其中所述第一晶體管的柵極電連接到所述第四晶體管的柵極，其中所述第二晶體管的柵極電連接到所述第三晶體管的源極和漏極之一、所述第四晶體管的源極和漏極之一、所述第六晶體管的柵極、以及所述第七晶體管的源極和漏極之一，其中所述第五晶體管的源極和漏極之一電連接到所述第六晶體管的源極和漏極之一。
文檔編號(hào)H01L29/786GK102737605SQ20121023851
公開日2012年10月17日 申請日期2008年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月5日
發(fā)明者三宅博之, 梅崎敦司 申請人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所