1.一種接合晶圓的接合不良部的去除方法，其為去除接合晶圓的接合不良部的方法，所述接合晶圓具有發(fā)光元件構(gòu)造，所述發(fā)光元件構(gòu)造具有由(alyga1-y)xin1-xp構(gòu)成的活性層，其中，0.4≤x≤0.6，0≤y≤0.5，且所述接合晶圓通過(guò)將熱固化型接合構(gòu)件固化從而將發(fā)光元件構(gòu)造接合在透射發(fā)光波長(zhǎng)的光的透明基板上，所述去除方法的特征在于，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合晶圓的接合不良部的去除方法，其特征在于，將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合晶圓的接合不良部的去除方法，其特征在于，將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石或石英。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合晶圓的接合不良部的去除方法，其特征在于，將所述等離子體氣氛設(shè)為：在具有桶型或平行板型電極結(jié)構(gòu)的等離子體發(fā)生裝置內(nèi)，使包含氧氣、氮?dú)?、氬氣、氦氣、氫氣中的任意一種以上的氣體等離子體化而形成的等離子體氣氛。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合晶圓的接合不良部的去除方法，其特征在于，將產(chǎn)生等離子體氣氛的所述裝置設(shè)為rie(反應(yīng)性離子蝕刻)裝置、icp(電感耦合等離子體)裝置、等離子體cvd裝置、灰化裝置或?yàn)R射裝置。
6.一種接合晶圓的制造方法，其包含以下工序：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的接合晶圓的制造方法，其特征在于，將所述熱固化型接合構(gòu)件設(shè)為苯并環(huán)丁烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的接合晶圓的制造方法，其特征在于，將所述透明基板設(shè)為藍(lán)寶石或石英。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的接合晶圓的制造方法，其特征在于，將所述等離子體氣氛設(shè)為：在具有桶型或平行板型電極結(jié)構(gòu)的等離子體發(fā)生裝置內(nèi)，使包含氧氣、氮?dú)?、氬氣、氦氣、氫氣中的任意一種以上的氣體等離子體化而形成的等離子體氣氛。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的接合晶圓的制造方法，其特征在于，將所述產(chǎn)生等離子體氣氛的裝置設(shè)為rie(反應(yīng)性離子蝕刻)裝置、icp(電感耦合等離子體)裝置、等離子體cvd裝置、灰化裝置或?yàn)R射裝置。