一種全硅結(jié)構(gòu)的mens真空傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的真空傳感器的電極片采用普通的電極片，它不但耐熱性能比較差，無法滿足真空滅弧室產(chǎn)生的900°C的高溫，，而且無法產(chǎn)生氣體阻尼，從而真空度的測量范圍比較小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，它不但可以使真空度的測控I昂范圍大，而且可以耐高溫，不放氣，避免出現(xiàn)破壞真空度的現(xiàn)象。
[0004]本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案:一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體，在載體的中心設(shè)有通孔，在載體一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I，在載體另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II，芯片架I與芯片架II對稱設(shè)置，在載體一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I，在載體II另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II，電極片I與電極片II對稱設(shè)置在通孔的兩側(cè)與通孔相鄰，在芯片架I與芯片架II之間橫向設(shè)有電極片III，電極片III覆蓋在電極片1、通孔和電極片II的上部，電極片III與電極片1、通孔和電極片II相對，在電極片III與電極片1、通孔和電極片II之間設(shè)有真空層，在電極片III的上部設(shè)有感應(yīng)片，在感應(yīng)片的中心設(shè)有彈性元件。
[0005]所述的電極片I為多晶硅。所述的電極片II為多晶硅。所述的電極片III為多晶硅。所述的彈性元件為上窄下寬的梯形，彈性元件為彈片。
[0006]本發(fā)明具有以下有益效果:采用了以上技術(shù)方案，本發(fā)明在電極片III與電極片和電極片II之間設(shè)有真空層，這樣在電極片III與電極片I以及電極片III與電極片II設(shè)有氣隙，氣隙形成強烈的氣體阻尼，利用氣壓與氣體運動阻尼的關(guān)系，從氣體阻尼的衰減特性既可以測量諧振腔的真空度，測量范圍10一2 — 12Pa,從而可以滿足真空斷路器10一2 —10—1 Pa真空測量范圍的要求，而且電極片I為多晶硅，電極片II為多晶硅，電極片III為多晶硅，這樣在測量時經(jīng)受真空滅弧室制造的900°C的高溫，不放氣，直接埋入真空滅弧室，實現(xiàn)對真空滅弧室真空度的直接測量，信號采用電容耦合和無線傳輸，在埋入真空滅弧室時不會破壞真空度，滿足埋入真空滅弧室的要求。本發(fā)明感應(yīng)片的中心設(shè)有彈性元件，彈性元件為上窄下寬的梯形，彈性元件為彈片，這樣彈片與真空斷路器內(nèi)設(shè)有的振蕩器相對應(yīng)進行真空度的檢測，無需穿過絕緣外殼的直接的電極引線，采用無線傳輸，使用更加安全方便。
[0007]
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0009]在圖1中，本發(fā)明提供了一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，是它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體1，在載體I的中心設(shè)有通孔2，在載體I 一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I 3，在載體I另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II 4，芯片架I 3與芯片架II 4對稱設(shè)置，在載體I 一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I 5,電極片I 5為多晶娃,在載體II 2另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II 6,電極片II 6為多晶娃，電極片I 5與電極片II 6對稱設(shè)置在通孔2的兩側(cè)與通孔2相鄰，在芯片架I 3與芯片架II 4之間橫向設(shè)有電極片III 7，電極片III 7為多晶硅，電極片III 7覆蓋在電極片I 5、通孔2和電極片II 6的上部，電極片III 7與電極片I 5、通孔2和電極片II 6相對，在電極片III 7與電極片I 5、通孔2和電極片II 6之間設(shè)有真空層8，在電極片III 7的上部設(shè)有感應(yīng)片9，在感應(yīng)片9的中心設(shè)有彈性元件10，彈性元件10為上窄下寬的梯形，彈性元件10為彈片。
【主權(quán)項】
1.一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，其特征是它設(shè)有真空傳感器的主體，所述的真空傳感器的主體設(shè)有載體(1)，在載體(I)的中心設(shè)有通孔(2)，在載體(I)一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架I (3)，在載體(I)另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架II (4)，芯片架I (3)與芯片架II (4)對稱設(shè)置，在載體(I) 一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片I (5)，在載體II (2)另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片II(6 )，電極片I (5 )與電極片II (6 )對稱設(shè)置在通孔(2 )的兩側(cè)與通孔(2 )相鄰，在芯片架I(3)與芯片架II (4)之間橫向設(shè)有電極片111(7)，電極片111(7)覆蓋在電極片I (5)、通孔(2)和電極片II (6)的上部，電極片111(7)與電極片I (5)、通孔(2)和電極片II (6)相對，在電極片111(7)與電極片I (5)、通孔(2)和電極片II (6)之間設(shè)有真空層(8)，在電極片111(7)的上部設(shè)有感應(yīng)片(9)，在感應(yīng)片(9)的中心設(shè)有彈性元件(10)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，其特征是所述的電極片I(5)為多晶石圭。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，其特征是所述的電極片II(6)為多晶石圭。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，其特征是所述的電極片111(7)為多晶石圭。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，其特征是所述的彈性元件(10)為上窄下寬的梯形，彈性元件(10)為彈片。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種全硅結(jié)構(gòu)的MENS真空傳感器，載體（1）的中心設(shè)有通孔（2），載體（1）一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架Ⅰ（3），載體（1）另一側(cè)的外側(cè)設(shè)有芯片架Ⅱ（4），在載體（1）一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片Ⅰ（5），載體Ⅱ（2）另一側(cè)的內(nèi)側(cè)設(shè)有電極片Ⅱ（6），芯片架Ⅰ（3）與芯片架Ⅱ（4）之間橫向設(shè)有電極片Ⅲ（7），電極片Ⅲ（7）覆蓋在電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）的上部，電極片Ⅲ（7）與電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）相對，電極片Ⅲ（7）與電極片Ⅰ（5）、通孔（2）和電極片Ⅱ（6）之間設(shè)有真空層（8），電極片Ⅲ（7）的上部設(shè)有感應(yīng)片（9），感應(yīng)片（9）的中心設(shè)有彈性元件（10）。
【IPC分類】G01L21/16
【公開號】CN105021345
【申請?zhí)枴緾N201410173323
【發(fā)明人】戴永正, 陳厚源, 顧宇鋒, 錢雨, 孟憲忠, 劉波
【申請人】國家電網(wǎng)公司, 江蘇南瑞泰事達電氣有限公司, 江蘇省電力公司, 江蘇省電力公司泰州供電公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2014年4月28日