本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法。

背景技術(shù)：

1、對(duì)于存儲(chǔ)單元，其外側(cè)側(cè)壁上形成l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)，該l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊的底層氧化硅層、氮化硅層和上層氧化硅層。該l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的外側(cè)覆蓋有金屬硅化物阻擋層，在對(duì)該金屬硅化物阻擋層進(jìn)行刻蝕時(shí)會(huì)對(duì)l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層造成側(cè)掏形成凹陷，后續(xù)的金屬硅化物淀積工藝不僅難以填充該凹陷還會(huì)使得該凹陷封口形成空洞。進(jìn)而導(dǎo)致在后續(xù)制作接觸孔時(shí)填充的金屬容易順著該孔洞擴(kuò)散形成橋接問(wèn)題，不利于器件的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，可以解決相關(guān)技術(shù)中l(wèi)型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部形成空洞的問(wèn)題。

2、為了解決背景技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，所述存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法包括以下步驟：

3、提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)相間隔的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元的側(cè)壁上形成l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)，該l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊的底層氧化硅層、氮化硅層和上層氧化硅層；

4、淀積金屬硅化物阻擋層，所述金屬硅化物阻擋層覆蓋在l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的表面；

5、刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，對(duì)所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層邊緣造成側(cè)掏形成凹陷；

6、在金屬硅化物制作完成后，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度；

7、淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層填充滿(mǎn)縮小后的凹陷。

8、可選地，所述刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，對(duì)所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層邊緣造成側(cè)掏形成凹陷的步驟，包括：

9、通過(guò)光刻工藝定義出金屬硅化物阻擋層刻蝕圖案；

10、基于所述金屬硅化物阻擋層刻蝕圖案對(duì)所述金屬硅化物阻擋層進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕去除從所述金屬硅化物阻擋層刻蝕圖案中外露的金屬硅化物阻擋層；

11、去除金屬硅化物阻擋層刻蝕圖案后，通過(guò)濕法刻蝕工藝處理進(jìn)一步去除所述金屬硅化物阻擋層；

12、l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層邊緣側(cè)掏形成凹陷。

13、可選地，所述在金屬硅化物制作完成后，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

14、通過(guò)金屬硅化工藝在外露的硅表面上金屬硅化物層；

15、通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕橫向縮短，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度。

16、可選地，所述通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕減薄，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

17、在10mtorr至30mtorr壓力環(huán)境下，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕橫向縮短，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度。

18、可選地，所述通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕減薄，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

19、在包括聚合物氣體和氧氣的氣氛環(huán)境下，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕橫向縮短，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度。

20、可選地，所述淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層填充滿(mǎn)縮小后的凹陷的步驟，包括：

21、淀積材質(zhì)為接觸孔刻蝕停止層，所述接觸孔刻蝕停止層填充滿(mǎn)所述凹陷；

22、在所述接觸孔刻蝕停止層上淀積形成隔離介質(zhì)層。

23、可選地，所述接觸孔刻蝕停止層包括氮氧化硅和氧化硅。

24、可選地，所述隔離介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅。

25、本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：本申請(qǐng)通過(guò)在金屬硅化物制作完成后，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度同時(shí)能夠修飾氮化硅層轉(zhuǎn)角處的形貌，改善介質(zhì)層填充空間的表面形貌，利于介質(zhì)層的填充避免形成空洞。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法包括以下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，對(duì)所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層邊緣造成側(cè)掏形成凹陷的步驟，包括：

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述在金屬硅化物制作完成后，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕減薄，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

5.如權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，使得所述l型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底部，超出凹陷位置處的氮化硅層被所述應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕減薄，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度的步驟，包括：

6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層填充滿(mǎn)縮小后的凹陷的步驟，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述接觸孔刻蝕停止層包括氮氧化硅和氧化硅。

8.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法，其特征在于，所述隔離介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化硅。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法。所述存儲(chǔ)單元側(cè)墻的制造方法包括以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)相間隔的存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元的側(cè)壁上形成L型側(cè)墻結(jié)構(gòu)，該L型側(cè)墻結(jié)構(gòu)包括由下至上依次層疊的底層氧化硅層、氮化硅層和上層氧化硅層；淀積金屬硅化物阻擋層，所述金屬硅化物阻擋層覆蓋在L型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的表面；刻蝕所述金屬硅化物阻擋層，對(duì)所述L型側(cè)墻結(jié)構(gòu)的底層氧化硅層邊緣造成側(cè)掏形成凹陷；在金屬硅化物制作完成后，通過(guò)應(yīng)力臨近刻蝕工藝刻蝕外露的氮化硅層，縮小所述凹陷的側(cè)掏深度；淀積介質(zhì)層，所述介質(zhì)層填充滿(mǎn)縮小后的凹陷。

技術(shù)研發(fā)人員：佟宇鑫,顧林,王輝,段松漢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15