本發(fā)明屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶有循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)的薄膜沉積設(shè)備加熱底盤。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應(yīng)所需要的溫度，所以加熱底盤必需具備加熱結(jié)構(gòu)以滿足給晶圓預(yù)熱的目的。大多數(shù)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，在沉積過程中還會(huì)有等離子體參與沉積反應(yīng)，因等離子體能量的釋放以及化學(xué)氣體間反應(yīng)的能量釋放，加熱底盤及晶圓的溫度會(huì)隨著射頻及工藝時(shí)間的增加溫度會(huì)不斷的上升，如果在進(jìn)行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進(jìn)行，這樣會(huì)耗費(fèi)大量的時(shí)間，設(shè)備的產(chǎn)能相對(duì)比較低，如果晶圓和加熱底盤的溫度升溫過快，溫度會(huì)超出薄膜所需承受的溫度，致使薄膜失敗。

為了解決工藝過程中加熱盤溫升過快降溫慢的問題，我們需要有能夠自動(dòng)調(diào)節(jié)加熱底盤溫度的系統(tǒng)，來(lái)保證加熱底盤的溫度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種帶有循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)的薄膜沉積設(shè)備加熱底盤，通過循環(huán)媒介的自動(dòng)控溫，可以實(shí)現(xiàn)加熱底盤溫度的自動(dòng)調(diào)節(jié)，能夠精確的控制加熱底盤的溫度。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，帶有循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)的薄膜沉積設(shè)備加熱底盤，，在加熱底盤的上盤體和下盤體之間通過媒介導(dǎo)流槽蓋板和媒介擋板的固定配合形成循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)，上盤體的下表面邊緣有外側(cè)凸臺(tái)和內(nèi)側(cè)凸臺(tái)， 兩圈凸臺(tái)之間形成環(huán)形溝槽，內(nèi)側(cè)凸臺(tái)分布有三個(gè)導(dǎo)流口，上盤體上還設(shè)置有陶瓷柱孔和熱電偶孔；

媒介擋板為一個(gè)圓盤結(jié)構(gòu)，從邊緣向上下兩側(cè)有凸起，在一側(cè)突起上分布有三個(gè)擋板媒介出口，擋板媒介出口與上盤體內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的導(dǎo)流口位置對(duì)應(yīng)，媒介擋板上還設(shè)有媒介流通孔和擋板通孔，擋板通孔位置與上盤體陶瓷柱孔的位置對(duì)應(yīng)；

下盤體盤面上設(shè)有與上盤體陶瓷柱孔對(duì)應(yīng)的螺紋孔以及與熱電偶孔對(duì)應(yīng)的熱電偶安裝螺紋孔，在下盤體盤面靠近中心的位置設(shè)有媒介入口和媒介出口，以媒介入口為中心，在下盤體盤面上向外輻射三個(gè)導(dǎo)流槽，導(dǎo)流槽兩側(cè)設(shè)凸臺(tái)，用于和導(dǎo)流槽蓋板焊接，形成媒介流道，導(dǎo)流槽終端有終端孔，當(dāng)上盤體和下盤體固定一體后，終端孔對(duì)應(yīng)在環(huán)形溝槽的范圍內(nèi)。

進(jìn)一步地，上盤體內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的三個(gè)導(dǎo)流口均勻分布，將內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的圓周分成三個(gè)相等的圓弧。

進(jìn)一步地，導(dǎo)流槽蓋板的端部設(shè)有端孔，端孔與導(dǎo)流槽的終端孔位置對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步地，將媒介擋板焊接在上盤體上時(shí)，上盤體外側(cè)凸臺(tái)與媒介擋板不設(shè)媒介出口一側(cè)的突起高度在一個(gè)平面上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，通過循環(huán)媒介的自動(dòng)控溫，可以實(shí)現(xiàn)加熱底盤溫度的自動(dòng)調(diào)節(jié)，能夠精確的控制加熱底盤的溫度，解決了現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)備產(chǎn)能低，晶圓和加熱底盤升溫較快降溫較慢的問題。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖及實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1為加熱底盤爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為加熱底盤上盤體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為媒介擋板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為導(dǎo)流槽蓋板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為加熱底盤下盤體結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參考圖1-圖5，本發(fā)明提供了一種帶有循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)的薄膜沉積設(shè)備加熱底盤，是通過在加熱底盤的上盤體1和下盤體5之間通過媒介導(dǎo)流槽蓋板4和媒介擋板3的固定配合形成循環(huán)媒介自動(dòng)控溫結(jié)構(gòu)。

上盤體1的下表面邊緣有外側(cè)凸臺(tái)和內(nèi)側(cè)凸臺(tái)，兩圈凸臺(tái)之間形成環(huán)形溝槽9，內(nèi)側(cè)凸臺(tái)分布有三個(gè)導(dǎo)流口11，上盤體1上還設(shè)置有陶瓷柱孔8和熱電偶孔10；

媒介擋板3為一個(gè)圓盤結(jié)構(gòu)，從邊緣向上下兩側(cè)有凸起，在一側(cè)突起上分布有三個(gè)擋板媒介出口20，擋板媒介出口20與上盤體1內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的導(dǎo)流口11位置對(duì)應(yīng)，媒介擋板3上還設(shè)有媒介流通孔19和擋板通孔18，擋板通孔18位置與上盤體陶瓷柱孔8的位置對(duì)應(yīng)；

下盤體5盤面上設(shè)有與上盤體1陶瓷柱孔8對(duì)應(yīng)的螺紋孔7以及與熱電偶孔10對(duì)應(yīng)的熱電偶安裝螺紋孔16，在下盤體5盤面靠近中心的位置設(shè)有媒介入口13和媒介出口12，以媒介入口13為中心，在下盤體5盤面上向外輻射三個(gè)導(dǎo)流槽14，導(dǎo)流槽14兩側(cè)設(shè)凸臺(tái)，用于和導(dǎo)流槽蓋板4焊接，形成媒介流道，導(dǎo)流槽14終端有終端孔15，當(dāng)上盤體1和下盤體5固定一體后，終端孔15對(duì)應(yīng)在環(huán)形溝槽9的范圍內(nèi)。

上盤體1內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的三個(gè)導(dǎo)流口優(yōu)選均勻分布，將內(nèi)側(cè)凸臺(tái)的圓周分成三個(gè)相等的圓弧。

為了使媒介流動(dòng)更暢通，作為技術(shù)方案的改進(jìn)，在導(dǎo)流槽蓋板的端部設(shè)有端孔17，端孔17與導(dǎo)流槽的終端孔15位置對(duì)應(yīng)。

為了使上盤體1和下盤體5能夠精準(zhǔn)對(duì)接，保證焊接的效果，作為技術(shù)方案的改進(jìn)，將媒介擋板3焊接在上盤體1上時(shí)，上盤體1外側(cè)凸臺(tái)與媒介擋板3不設(shè)媒介出口一側(cè)的突起高度在一個(gè)平面上。

在進(jìn)行安裝時(shí)，首先將加熱底盤下盤體5與導(dǎo)流槽蓋板4焊接，然后將媒介擋板3各開孔位置與加熱底盤上盤體1各結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)并焊接于加熱底盤上盤體1上；焊接完成后再將加熱底盤上盤體1與加熱底盤下盤體5通過真空釬焊的方式進(jìn)行焊接，然后將陶瓷柱2，安裝在陶瓷柱孔8內(nèi)，通過陶瓷柱安裝螺母6對(duì)陶瓷柱2進(jìn)行固定，完成整個(gè)控溫盤的加工。