技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于薄膜混合集成電路的生產(chǎn)型多靶磁控濺射系統(tǒng)，包括機架、真空腔體和真空獲得系統(tǒng)，真空腔體包括預(yù)真空室和工藝腔室，預(yù)真空室位于工藝腔室的上方且與工藝腔室連通，工藝腔室內(nèi)分別設(shè)有濺射靶組件、加熱組件、掃描小車、射頻清洗臺以及可從工藝腔室上升至預(yù)真空室的基片架，基片架上設(shè)有可隔斷預(yù)真空室和工藝腔室的底板，掃描小車用于承接基片架上的基片盤并帶動基片盤在濺射靶組件、加熱組件、射頻清洗臺之間移動，真空獲得系統(tǒng)用于對預(yù)真空室和工藝腔室抽真空。本發(fā)明具有成本低、可實現(xiàn)基片自動裝載和連續(xù)在線濺射沉膜的優(yōu)點。

技術(shù)研發(fā)人員：佘鵬程;彭立波;陳特超;毛朝斌;陳立寧
受保護的技術(shù)使用者：中國電子科技集團公司第四十八研究所
文檔號碼：201610360059
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.27
技術(shù)公布日：2017.02.15