1.一種p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極，其特征在于：包括si襯底、si襯底上設(shè)置的inn納米柱層、inn納米柱表面設(shè)置的pm6層以及pm6層表面設(shè)置的p摻雜nildh助催化劑層，所述p摻雜ni?ldh助催化劑層為二維納米片；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極，其特征在于：所述p源的摻雜量為niso4摩爾量的5～15％；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極，其特征在于：所述p源的摻雜量為niso4摩爾量的8～12％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極，其特征在于：所述si襯底為n型硅，導(dǎo)電率<0.005ω；inn納米柱的高度為100～400nm，直徑為30～100nm，密度為100～300μm-2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述分子束外延生長工藝的條件：控制襯底溫度為350～450℃，轉(zhuǎn)速為5～10r/min，in束流等效壓強(qiáng)為1.0×10-8～6×10-7torr，氮?dú)饬髁繛?～5sccm，等離子體源功率為300～500w，生長時(shí)間為1～3h；
7.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極的應(yīng)用，其特征在于：所述p摻雜鎳層狀雙氫氧化物助催化劑異質(zhì)結(jié)光陰極用于光電化學(xué)水分解制氫體系。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于：所述體系包括光陽極、光陰極、電解液、光源和電解池；所述光陽極與光陰極分別置于電解液中，電解液置于電解池中；在太陽光照射下，光陰極進(jìn)行氫氣的制備。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于：所述光陰極中si襯底的背面通過ti-au合金與導(dǎo)線連接；所述光陽極與光陰極通過導(dǎo)線進(jìn)行串聯(lián)；