一種鍺晶體應(yīng)力消除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種鍺晶體應(yīng)力消除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]鍺晶體是一種重要的紅外光學(xué)材料，在生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)原有的國內(nèi)生產(chǎn)工藝在產(chǎn)品應(yīng)力消除上既不能滿足大批量產(chǎn)品生產(chǎn)需求，又不能達(dá)到后期光學(xué)加工的工藝要求，使加工成型的光學(xué)鏡片拋光面產(chǎn)生面型變化，導(dǎo)致部分產(chǎn)品報(bào)廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種鍺晶體應(yīng)力消除方法，有效消除鍺晶體應(yīng)力，以滿足大批量產(chǎn)品生產(chǎn)需求。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明一種鍺晶體應(yīng)力消除方法，包括如下步驟:
A、對(duì)鍺晶體進(jìn)行清洗;采用30°C的純水進(jìn)行表面清洗，然后用清洗機(jī)再次清洗，待鍺晶體表面溫度達(dá)到20_30°C時(shí)，用酒精擦拭鍺晶體表面；
B、將晶體放入晶體退火爐內(nèi)的坩禍，用真空栗將退火爐內(nèi)的氣壓抽至5Pa以內(nèi)，然后給退火爐充入惰性氣體；
C、采用歐陸表對(duì)對(duì)退火爐內(nèi)溫度進(jìn)行升溫和降溫控制，首先從常溫以每分鐘0.45°C的升溫速度升至500°C，然后在500°C下恒溫保持10小時(shí)，然后再以每分鐘0.4°C的降溫速度降至常溫。
[0005]進(jìn)一步的，所述惰性氣體為氬氣。
[0006]進(jìn)一步的，所述退火爐包括設(shè)置于所述退火爐內(nèi)的采用圓柱形石墨加熱器形成的環(huán)形熱場(chǎng)，所述熱場(chǎng)直徑為600mm，高度為510_。
[0007]進(jìn)一步的，所述坩禍為石墨承托坩禍，其直徑為530mm，高為210mm，放置于熱場(chǎng)中心。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益技術(shù)效果:大大縮短了產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間，特別是退火過程時(shí)間減少了三分之一;產(chǎn)品應(yīng)力消除良好，徹底解決了晶體加工成鏡片后的面型變形問題，經(jīng)過試驗(yàn)最終加工成鏡片后的抗撞擊能力有成倍提高。
【附圖說明】
[0009]下面結(jié)合【附圖說明】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0010]圖1為本發(fā)明鍺晶體應(yīng)力消除方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011 ]如圖1所示，一種鍺晶體應(yīng)力消除方法，包括如下步驟:
A、對(duì)鍺晶體進(jìn)行清洗:采用30°C的純水對(duì)鍺晶體表面進(jìn)行清洗，然后用清洗機(jī)再次清洗，待鍺晶體表面溫度達(dá)到20-30°C時(shí)，用酒精擦拭鍺晶體表面；
B、將晶體放入晶體退火爐內(nèi)的坩禍，用真空栗將退火爐內(nèi)的氣壓抽至5Pa以內(nèi)，然后給退火爐充入惰性氣體；
C、采用歐陸表對(duì)退火爐內(nèi)溫度進(jìn)行升溫和降溫控制，首先從常溫以每分鐘0.45°C的升溫速度升至500°C，然后在500°C下恒溫保持10小時(shí)，然后再以每分鐘0.45°C的降溫速度降至常溫。
[0012]出爐即可，完成盈利消除。
[0013]其中充入的惰性氣體為氬氣，也可以選擇其他惰性氣體，但是成本更高，不能普遍使用，而且氬氣是單分子氣體，惰性更高;退火爐包括設(shè)置于退火爐內(nèi)的采用圓柱形石墨加熱器形成的環(huán)形熱場(chǎng)，所述熱場(chǎng)直徑為600mm，高度510mm;坩禍為石墨承托坩禍，其直徑為530mm，高為210mm，放置于熱場(chǎng)中心。
[0014]在使用該退火工藝之前，個(gè)別產(chǎn)品拋光加工后，靜止一段時(shí)間用干涉儀檢測(cè)有一個(gè)λ左右的變化;使用該退火工藝后基本沒有了面型變化。
[0015]應(yīng)力消除實(shí)驗(yàn):用50g重的鋼球距離鍺片40cm的高度自由落體擊中鍺片，沒用該退火工藝退火的鍺片在擊中一兩次后會(huì)被擊碎，用該退火工藝退火后鍺片可以承受八次以上的撞擊；
注:該鍺片尺寸Φ 32.7mm*4.1mm
以上所述的實(shí)施例僅是對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選方式進(jìn)行描述，并非對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定，在不脫離本發(fā)明設(shè)計(jì)精神的前提下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做出的各種變形和改進(jìn)，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求書確定的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種鍺晶體應(yīng)力消除方法，其特征在于，包括如下步驟: A、對(duì)鍺晶體進(jìn)行清洗;采用30°C的純水進(jìn)行表面清洗，然后用清洗機(jī)再次清洗，待鍺晶體表面溫度達(dá)到20-30°C時(shí)，用酒精擦拭鍺晶體表面； B、將晶體放入晶體退火爐內(nèi)的坩禍，用真空栗將退火爐內(nèi)的氣壓抽至5Pa以內(nèi)，然后給退火爐充入惰性氣體； C、采用歐陸表對(duì)退火爐內(nèi)溫度進(jìn)行升溫和降溫控制，首先從常溫以每分鐘0.45°C的升溫速度升至500°C，然后在00°C下恒溫保持10小時(shí)，然后再以每分鐘0.4°C的降溫速度降至常溫。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺晶體應(yīng)力消除方法，其特征在于:所述惰性氣體為消除方法。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍺晶體應(yīng)力消除方法，其特征在于:所述退火爐包括設(shè)置于所述退火爐內(nèi)的采用圓柱形石墨加熱器形成的環(huán)形熱場(chǎng)，所述熱場(chǎng)直徑為600mm，高度為510mmo4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鍺晶體應(yīng)力消除方法，其特征在于:所述坩禍為石墨承托坩禍，其直徑為530mm，高為210mm，放置于熱場(chǎng)中心D
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種鍺晶體應(yīng)力消除方法，包括如下步驟：首先對(duì)鍺晶體進(jìn)行清洗，然后放入退火爐，并抽真空至5Pa以內(nèi)，然后充入惰性氣體，最后控溫退火，至室溫，出爐。該工藝對(duì)產(chǎn)品應(yīng)力消除良好，徹底解決了晶體加工成鏡片后的面型變形問題，加工成鏡片后的抗撞擊能力有成倍提高。
【IPC分類】C30B33/02, C30B29/08
【公開號(hào)】CN105603534
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610105897
【發(fā)明人】呂遠(yuǎn)芳
【申請(qǐng)人】呂遠(yuǎn)芳
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年2月26日