本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種噴淋裝置、反應(yīng)腔室及薄膜沉積設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓加工過程中使用的半導(dǎo)體工藝設(shè)備通常包含多個(gè)關(guān)鍵部件，如加熱盤、噴淋板和腔體等，這些組件共同為晶圓處理提供了必要的工藝環(huán)境。在這一過程中，晶圓會(huì)被精確地放置于加熱盤上，并隨著加熱盤的上升而靠近噴淋板，形成一個(gè)微小的間隙以進(jìn)行相應(yīng)的加工處理。為了保證加工效果，整個(gè)腔體通常處于真空狀態(tài)。然而，這些用于加熱的關(guān)鍵部件主要由金屬材料制成，并且在真空環(huán)境下工作，金屬材料在受熱時(shí)會(huì)發(fā)生膨脹，金屬材料在受到加熱和真空力的雙重作用下會(huì)產(chǎn)生變形。其中，噴淋板的變形不可控對晶圓的工藝結(jié)果不良影響是最大的，因?yàn)樗苯佑绊懥司A與噴淋板之間的極間距，進(jìn)而對晶圓的處理結(jié)果造成顯著的影響，導(dǎo)致晶圓表面溫度分布不均勻、薄膜沉積厚度不一致，最終影響器件的性能和良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的實(shí)施例提供了一種噴淋裝置、反應(yīng)腔室及薄膜沉積設(shè)備，旨在解決現(xiàn)有的噴淋板的變形導(dǎo)致膜厚不均勻的問題。

2、第一方面，本實(shí)用新型提供了一種噴淋裝置，包括：

3、噴淋板；

4、噴淋上板，設(shè)于所述噴淋板的上方；

5、至少一組形變補(bǔ)償組件，包括驅(qū)動(dòng)部和形變支撐部，所述驅(qū)動(dòng)部設(shè)于所述噴淋上板的上方，所述形變支撐部的一端與所述驅(qū)動(dòng)部連接，所述形變支撐部的另一端穿過所述噴淋上板與所述噴淋板的邊緣連接；

6、其中，所述驅(qū)動(dòng)部用于驅(qū)動(dòng)所述形變支撐部可維持地向上拉動(dòng)和/或向下抵壓所述噴淋板的邊緣。

7、進(jìn)一步地，所述驅(qū)動(dòng)部包括直線驅(qū)動(dòng)件，所述直線驅(qū)動(dòng)件用于驅(qū)動(dòng)所述形變支撐部沿上下方向直線運(yùn)動(dòng)。

8、進(jìn)一步地，所述直線驅(qū)動(dòng)件為氣缸，所述氣缸包括缸體、分隔件和連接件，所述分隔件設(shè)于所述缸體內(nèi)部以將所述缸體上下分隔為上層和下層，所述分隔件通過所述連接件與所述形變支撐部連接，所述分隔件配置為在所述上層與所述下層之間的氣壓差驅(qū)動(dòng)下在所述缸體內(nèi)部上下運(yùn)動(dòng)。

9、進(jìn)一步地，所述形變補(bǔ)償組件設(shè)有多組，多組所述形變補(bǔ)償組件沿所述噴淋板的邊緣均勻分布。

10、進(jìn)一步地，沿所述噴淋板的邊緣于所述噴淋上板開設(shè)有至少一個(gè)過孔，所述形變支撐部包括連桿，所述連桿穿過所述過孔，且一端與所述驅(qū)動(dòng)部連接，另一端與所述噴淋板的邊緣連接。

11、進(jìn)一步地，所述形變支撐部還包括第一密封件，所述第一密封件套設(shè)于所述連桿的外側(cè)且穿設(shè)于所述過孔中。

12、進(jìn)一步地，所述第一密封件為波紋管，所述波紋管與所述連桿焊接為一體。

13、進(jìn)一步地，所述形變支撐部還包括第二密封件，所述第二密封件設(shè)于所述噴淋上板的背向所述噴淋板的一側(cè)且套設(shè)于所述第一密封件的外側(cè)。

14、第二方面，本實(shí)用新型還提供了一種反應(yīng)腔室，包括腔體、噴淋裝置和形變檢測裝置，所述噴淋裝置為上述的噴淋裝置，所述噴淋裝置和所述形變檢測裝置設(shè)于所述腔體中，所述形變檢測裝置用于檢測噴淋板的中心與邊緣的水平差，形變補(bǔ)償組件用于補(bǔ)償噴淋板的邊緣與中心的水平差。

15、第三方面，本實(shí)用新型還提供了一種薄膜沉積設(shè)備，包括第二方面的反應(yīng)腔室。

16、本實(shí)用新型提供一種噴淋裝置、反應(yīng)腔室及薄膜沉積設(shè)備，反應(yīng)腔室包括腔體、噴淋裝置和形變檢測裝置，噴淋裝置和形變檢測裝置設(shè)于腔體內(nèi)，該噴淋裝置包括噴淋板、噴淋上板和至少一組形變補(bǔ)償組件，噴淋上板設(shè)于噴淋板的上方，形變補(bǔ)償組件包括驅(qū)動(dòng)部和形變支撐部，驅(qū)動(dòng)部設(shè)于噴淋上板的上方，驅(qū)動(dòng)部通過形變支撐部穿過噴淋上板與下方的噴淋板的邊緣連接，形變檢測裝置檢測噴淋板的中心與邊緣的水平差，當(dāng)噴淋板的邊緣與中心存在水平差，通過驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)形變支撐部可維持地向上拉動(dòng)和/或向下抵壓噴淋板的邊緣，使得噴淋板的邊緣產(chǎn)生蠕性變形，補(bǔ)償噴淋板的邊緣與中心的水平差，在工藝狀態(tài)時(shí)保證噴淋板與加熱盤之間合適的極間距，提高膜厚的均勻性和質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種噴淋裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)部包括直線驅(qū)動(dòng)件，所述直線驅(qū)動(dòng)件用于驅(qū)動(dòng)所述形變支撐部沿上下方向直線運(yùn)動(dòng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋裝置，其特征在于，所述直線驅(qū)動(dòng)件為氣缸，所述氣缸包括缸體、分隔件和連接件，所述分隔件設(shè)于所述缸體內(nèi)部以將所述缸體上下分隔為上層和下層，所述分隔件通過所述連接件與所述形變支撐部連接，所述分隔件配置為在所述上層與所述下層之間的氣壓差驅(qū)動(dòng)下在所述缸體內(nèi)部上下運(yùn)動(dòng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋裝置，其特征在于，所述形變補(bǔ)償組件設(shè)有多組，多組所述形變補(bǔ)償組件沿所述噴淋板的邊緣均勻分布。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的噴淋裝置，其特征在于，沿所述噴淋板的邊緣于所述噴淋上板開設(shè)有至少一個(gè)過孔，所述形變支撐部包括連桿，所述連桿穿過所述過孔，且一端與所述驅(qū)動(dòng)部連接，另一端與所述噴淋板的邊緣連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的噴淋裝置，其特征在于，所述形變支撐部還包括第一密封件，所述第一密封件套設(shè)于所述連桿的外側(cè)且穿設(shè)于所述過孔中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的噴淋裝置，其特征在于，所述第一密封件為波紋管，所述波紋管與所述連桿焊接為一體。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的噴淋裝置，其特征在于，所述形變支撐部還包括第二密封件，所述第二密封件設(shè)于所述噴淋上板的背向所述噴淋板的一側(cè)且套設(shè)于所述第一密封件的外側(cè)。

9.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，包括腔體、噴淋裝置和形變檢測裝置，所述噴淋裝置為權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的噴淋裝置，所述噴淋裝置和所述形變檢測裝置設(shè)于所述腔體中，所述形變檢測裝置用于檢測噴淋板的中心與邊緣的水平差，形變補(bǔ)償組件用于補(bǔ)償噴淋板的邊緣與中心的水平差。

10.一種薄膜沉積設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的反應(yīng)腔室。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種噴淋裝置、反應(yīng)腔室及薄膜沉積設(shè)備，反應(yīng)腔室包括腔體、噴淋裝置和形變檢測裝置，噴淋裝置和形變檢測裝置設(shè)于腔體內(nèi)，該噴淋裝置包括噴淋板、噴淋上板和至少一組形變補(bǔ)償組件，噴淋上板設(shè)于噴淋板的上方，形變補(bǔ)償組件包括驅(qū)動(dòng)部和形變支撐部，驅(qū)動(dòng)部設(shè)于噴淋上板的上方，驅(qū)動(dòng)部通過形變支撐部穿過噴淋上板與下方的噴淋板的邊緣連接，形變檢測裝置檢測噴淋板的中心與邊緣的水平差，當(dāng)噴淋板的邊緣與中心存在水平差，通過驅(qū)動(dòng)部驅(qū)動(dòng)形變支撐部可維持地向上拉動(dòng)和/或向下抵壓噴淋板的邊緣，使得噴淋板的邊緣產(chǎn)生蠕性變形，補(bǔ)償噴淋板的邊緣與中心的水平差，在工藝狀態(tài)時(shí)保證噴淋板與加熱盤之間合適的極間距，提高膜厚的均勻性。

技術(shù)研發(fā)人員：黃明策,野沢俊久
受保護(hù)的技術(shù)使用者：拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240812
技術(shù)公布日：2025/5/19